1.?一種具有雙面抗反射結(jié)構(gòu)的紅外光學(xué)窗口的制備方法，其特征在于：它通過在紅外光學(xué)窗口的入射面和出射面刻蝕抗反射結(jié)構(gòu)來提高透射率。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有雙面抗反射結(jié)構(gòu)的紅外光學(xué)窗口的制備方法，其特征在于：所述紅外光學(xué)窗口為硅片，所述入射面的抗反射結(jié)構(gòu)為呈二維矩陣排列的四方柱，出射面的抗反射結(jié)構(gòu)為呈二維矩陣排列的四方柱凹槽。

3.?根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有一種具有雙面抗反射結(jié)構(gòu)的紅外光學(xué)窗口，其特征在于：所述二維矩陣排列的四方柱高度為1～2um，邊長為1.2～3.2um，排列周期為2～4um。

4.?根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種具有雙面抗反射結(jié)構(gòu)的紅外光學(xué)窗口，其特征在于：二維矩陣排列的四方柱高度為1.4um，邊長為1.5um，排列周期為2.5um。

5.?根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種具有雙面抗反射結(jié)構(gòu)的紅外光學(xué)窗口，其特征在于：所述二維矩陣排列的四方柱凹槽的深度為1～2um，邊長為1.5～2.5um，排列周期為2～3um。

6.?根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種具有雙面抗反射結(jié)構(gòu)的紅外光學(xué)窗口，其特征在于：二維矩陣排列的四方柱凹槽的深度為1.4um，邊長為2um，排列周期為2.5um。

7.?根據(jù)權(quán)利要求1～6任一項所述的一種具有雙面抗反射結(jié)構(gòu)的紅外光學(xué)窗口的制備方法，其特征在于：所述刻蝕抗反射結(jié)構(gòu)的方法為：采用反應(yīng)耦合等離子體刻蝕技術(shù)(ICP)；刻蝕氣體為SF6，150～180sccm，側(cè)壁保護氣體為C4F8，100sccm，刻蝕氣壓為20mTorr，上電極刻蝕功率為1800～2000w，下電極刻蝕功率為20w，刻蝕時間為60s。

8.?根據(jù)權(quán)利要求2～6任一項所述的一種具有雙面抗反射結(jié)構(gòu)的紅外光學(xué)窗口的制備方法，其特征在于：所述硅片需要預(yù)處理，預(yù)處理的方法為：

步驟一，硅片表面處理：使用丙酮對雙面拋光硅片進行超聲波清洗，之后用去離子水沖洗干凈，接著用氫氟酸清洗硅片，再用去離子水沖洗，氮氣吹干，放入烘箱中烘干，然后冷卻至室溫；

步驟二，雙面氣相沉積氮化硅：采用PECVD的方法對雙拋硅片兩面氣相沉積氮化硅層；氮化硅層厚度為400～500nm左右；

步驟三，入射面涂膠：采用旋轉(zhuǎn)涂膠法對入射面涂布光刻膠；旋涂轉(zhuǎn)速為3500?r/min，涂膠厚度為800～1200nm；?

步驟四，入射面前烘：對入射面涂布光刻膠后的硅片進行烘烤；烘烤溫度為100℃，前烘時間為?70s；?

步驟五，入射面曝光：采用非接觸式曝光的方法對入射面光刻膠層進行曝光，使得掩膜板上的入射面圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上；曝光時間為500ms；

步驟六，入射面顯影：使用顯影液對曝光后的入射面光刻膠進行顯影，顯影時間為60s，顯影溫度為25℃；顯影后用去離子水反復(fù)沖洗；

步驟七，入射面后烘：采用烘箱對入射面顯影后的硅片進行烘烤；烘烤溫度為?120℃，后烘時間為?20min；

步驟八，入射面離子刻蝕氮化硅掩膜：采用反應(yīng)離子刻蝕工藝(RIE)過刻氮化硅層，生成氮化硅掩膜圖形；刻蝕氣體為三氟甲烷20sccm，氧氣5sccm，刻蝕時間為5分鐘；

步驟九，入射面除膠：采用干法去膠的方法，去膠氣體為氧氣；

步驟十，硅片表面再次處理：使用丙酮對雙面拋光硅片進行超聲波清洗，之后用去離子水沖洗干凈，接著用氫氟酸清洗硅片，再用去離子水沖洗，氮氣吹干，放入烘箱中烘干，冷卻至室溫；

步驟十一，出射面涂膠：采用旋轉(zhuǎn)涂膠法對出射面涂布光刻膠；旋涂轉(zhuǎn)速為3500?r/min，涂膠厚度為800～1200nm；

步驟十二，出射面前烘：采用烘箱對出射面涂膠后的硅片進行烘烤；烘烤溫度為100℃，前烘時間為70s；

步驟十三，出射面曝光：采用非接觸式曝光的方法對出射面光刻膠層進行曝光，使得掩膜板上的出射面圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上；曝光時間為500ms；

步驟十四，出射面顯影：使用顯影液對曝光后的出射面光刻膠進行顯影，顯影時間為60s，顯影溫度為25℃；顯影后用去離子水反復(fù)沖洗；

步驟十五，出射面后烘：采用烘箱對出射面顯影后的硅片進行烘烤；烘烤溫度為120℃，后烘時間為20min；

步驟十六，出射面離子刻蝕氮化硅掩膜：采用反應(yīng)離子刻蝕工藝(RIE)過刻氮化硅層，生成氮化硅掩膜圖形；刻蝕氣體為三氟甲烷20sccm，氧氣5sccm，刻蝕時間為5分鐘；

步驟十七，出射面除膠：采用干法去膠的方法，去膠氣體為氧氣，完成預(yù)處理。