1.?功率半導(dǎo)體布置(1)，包括

包含鉬層(4)的基板(2)，以及

功率半導(dǎo)體器件(3)，其安放到所述基板(2)的頂面并與之電耦合和熱耦合，以及

母座，其在所述基板(2)的相對(duì)側(cè)上設(shè)置到所述功率半導(dǎo)體器件旁邊，

其特征在于

所述基板(2)包含金屬安放基底(6)，所述金屬安放基底(6)設(shè)置在所述半導(dǎo)體器件(3)與所述鉬層(4)之間并且防止所述鉬層(4)與所述半導(dǎo)體器件(3)形成高電阻金屬間相。

2.?如以上權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體布置(1)，

其特征在于

所述安放基底(6)由銅制成。

3.?如以上權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體布置(1)，

其特征在于

所述安放基底(6)由基于銅的合金制成。

4.?如以上權(quán)利要求1到3中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體布置(1)，

其特征在于

所述安放基底(6)支持在所述功率半導(dǎo)體器件(3)出現(xiàn)故障的情況下形成短路故障模式。

5.?如以上權(quán)利要求1到4中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體布置(1)，

其特征在于

在所述功率半導(dǎo)體器件與所述母座之間設(shè)置薄片，所述薄片由銅、鋁、銀、金和/或鎂或其合金制成。

6.?如以上權(quán)利要求1到5中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體布置(1)，

其特征在于

所述安放基底(6)作為安放板提供，其表面積大于所述半導(dǎo)體器件(3)的表面積。

7.?如以上權(quán)利要求1到6中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體布置(1)，

其特征在于

所述安放基底(6)作為延伸于所述鉬層(4)的安放層提供。

8.?如以上權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體布置(1)，

其特征在于

所述安放層(6)層壓到所述鉬層(4)。

9.?如權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體布置(1)，

其特征在于

所述基板(2)包含基底層(5)，所述基底層(5)相對(duì)于所述安放層(6)在所述鉬層(4)上提供，由此所述基底層(5)的熱膨脹系數(shù)基本等于所述安放層(6)的熱膨脹系數(shù)。

10.?如以上權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體布置(1)，

其特征在于

所述基底層(5)和所述安放層(6)作為相同層提供。

11.?如以上權(quán)利要求6到10中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體布置(1)，

其特征在于

所述鉬層(4)的厚度至少是所述安放板或安放層(6)的厚度的3倍，所述鉬層(4)的厚度優(yōu)選是3到10倍，更優(yōu)選是所述安放板或安放層(6)的厚度的5到6倍。

12.?如以上權(quán)利要求6到11中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體布置(1)，

其特征在于

所述鉬層(4)的厚度介于1?mm與10?mm之間。

13.?帶有多個(gè)如以上權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的功率半導(dǎo)體布置(1)的功率半導(dǎo)體模塊，

其特征在于

所述功率半導(dǎo)體布置(1)的所述基板(2)是公共基板(2)。

14.?如以上權(quán)利要求13所述的功率半導(dǎo)體模塊，?

其特征在于

所述功率半導(dǎo)體模塊包含殼體，由此

導(dǎo)電蓋子形成所述殼體的頂面并提供所述功率半導(dǎo)體模塊的第一觸點(diǎn)，

所述公共基板(2)形成所述殼體的基底并提供所述功率半導(dǎo)體模塊的第二觸點(diǎn)，以及

每個(gè)功率半導(dǎo)體布置(1)的所述母座設(shè)置在所述功率半導(dǎo)體布置(1)的所述功率半導(dǎo)體器件(3)與所述蓋子之間，

所述功率半導(dǎo)體器件(3)與所述蓋子電接觸。

15.?模塊組裝件，特別是功率半導(dǎo)體模塊組裝件，包含多個(gè)如以上權(quán)利要求13或14所述的功率半導(dǎo)體模塊，

其特征在于

所述功率半導(dǎo)體模塊互相并排設(shè)置，且相鄰半導(dǎo)體模塊之間電連接。

16.?如以上權(quán)利要求15所述的模塊組裝件，

其特征在于?

所述功率半導(dǎo)體模塊的所述基板(2)互相電連接。

17.?如以上權(quán)利要求15或16所述的模塊組裝件，

其特征在于?

所述模塊組裝件包含殼體，由此

所述功率半導(dǎo)體模塊的所述公共基板(2)貫穿所述殼體的基底，以及

導(dǎo)電蓋子形成所述殼體的頂面并為所述功率半導(dǎo)體模塊提供公共觸點(diǎn)。