1.一種透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于，該導(dǎo)電薄膜包括作為緩沖和匹配作用的SnO₂層，作為導(dǎo)電作用的Cu層，以及作為高功函作用的ReO₃層；且SnO₂層、Cu層和ReO₃層形成SnO₂-Cu-ReO₃三文治結(jié)構(gòu)；SnO₂層、Cu層和ReO₃層的厚度分別為30~100nm、5~50nm和0.5~5nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于，所述SnO₂層、Cu層和ReO₃層的厚度分別為80nm、25nm和2nm。

3.一種的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、把襯底、SnO₂、Cu和ReO₃分別放入蒸鍍?cè)O(shè)備真空腔的四個(gè)鉬舟中，并對(duì)真空腔抽真空；

S2、制備透明導(dǎo)電薄膜：首先，控制蒸發(fā)速度為1~50nm/min，在襯底表面制備厚度為30~100nm且起緩沖和匹配作用的SnO₂層；接著，控制蒸發(fā)速度為0.5~20nm/min，在SnO₂層表面制備厚度為5~50nm且起導(dǎo)電作用的Cu層；最后，控制蒸發(fā)速度為0.1~10nm/min，在Cu層表面制備厚度為0.5~5nm且起高功函作用的ReO₃層；待蒸鍍過(guò)程結(jié)束后，制得SnO₂-Cu-ReO₃三文治結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電薄膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S1中，對(duì)真空腔抽真空是采用機(jī)械泵和分子泵進(jìn)行的，且真空腔的真空度抽至1.0×10^-3Pa~1.0×10^-6Pa。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S1中，真空腔的真空度抽至2.0×10^-4Pa。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S2中，在制備SnO₂層時(shí)，蒸發(fā)速率為10nm/min。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S2中，在制備Cu層時(shí)，蒸發(fā)速率為3nm/min。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S2中，在制備ReO₃層時(shí)，蒸發(fā)速率為0.3nm/min。

9.根據(jù)權(quán)利要求3至8任一所述的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，所述襯底為石英片，單晶硅片或藍(lán)寶石。