[發明專利]使硅顆粒干燥并且回收溶劑有效
| 申請號: | 201210195851.7 | 申請日: | 2012-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN102867885A | 公開(公告)日: | 2013-01-09 |
| 發明(設計)人: | 尤基·理查德·庫安 | 申請(專利權)人: | 保通公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 王安武 |
| 地址: | 美國得*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顆粒 干燥 并且 回收 溶劑 | ||
1.一種設備,包括:
保持顆粒的容器,其中,所述容器位于所述顆粒下方的底部具有親水性并且包括孔;
溶劑入口,其連接至多個上部噴嘴,其中,所述上部噴嘴被定位在保持所述顆粒的所述容器上方,并且流體溶劑從所述上部噴嘴流動經過所述顆粒并經過所述容器底部的所述孔;以及
氣體入口管,其連接至氣體輸入噴嘴,其中,所述氣體輸入噴嘴被連接至從保持所述顆粒的所述容器下方噴氣的底部噴嘴,氣體從所述底部噴嘴流經所述容器底部的所述孔并經過所述顆粒,并且氣流與溶劑流的方向相反。
2.如權利要求1所述的設備,包括:
溶劑排出閥,其連接至所述底部噴嘴,其中,所述流體溶劑流經所述容器底部的所述孔,并經過所述底部噴嘴。
3.如權利要求1所述的設備,其中,
所述容器底部包括多孔塑料板,其具有約50微米的孔徑,以及至少約15毫米的厚度。
4.如權利要求1所述的設備,包括:
氣體加熱器,其連接在所述氣體輸入噴嘴與所述底部噴嘴之間,其中,所述氣體加熱器對流經所述底部噴嘴的氣體進行加熱。
5.如權利要求4所述的設備,其中,
所述氣體加熱器將氣體從約35攝氏度加熱至約50攝氏度。
6.如權利要求2所述的設備,包括:
氣體閥,其連接在所述氣體輸入噴嘴與所述底部噴嘴之間。
7.一種方法,包括:
設置容器,所述容器在底部具有孔;
將所述容器的所述底部定位在底部噴嘴上方;
打開連接至所述底部噴嘴的排出閥;
關閉連接至所述底部噴嘴的氣體閥;
將溶劑從容器上方的噴射噴嘴噴射在硅顆粒的容器上,直至所述硅顆粒濕潤;
關閉連接至所述底部噴嘴的所述排出閥;
打開連接至所述底部噴嘴的氣體閥;并且
將氣體從氣體輸入噴嘴輸入通過氣體閥、氣體加熱器以及所述底部噴嘴,通過位于所述容器底部的孔。
8.如權利要求7所述的方法,包括:
將用于氣體的排出端口設置在所述容器上方的蓋中。
9.如權利要求7所述的方法,包括:
在使氣體經過所述底部噴嘴之前,利用氣體加熱器將氣體加熱至至少約35度。
10.如權利要求7所述的方法,其中,
所述溶劑為液態。
11.如權利要求7所述的方法,包括:
所述容器的底部具有約50微米尺寸的孔。
12.如權利要求7所述的方法,包括:
將封閉蓋布置在所述容器上方以防止可燃易揮發有機溶劑的氣體溢出進入周圍環境導致火災危險。
13.如權利要求7所述的方法,包括:
設置通風排氣設備,其被容納在所述封閉蓋中,并連接至恢復易揮發溶劑下游的冷陷井。
14.一種制造太陽能面板的方法,包括權利要求1所述的方法。
15.一種光伏處理的方法,包括權利要求1所述的方法。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





