技術領域

本發明有關于一種起電初始電路，尤指一種可增加起電能力以及減少使用者不想要的邊際效應或是閂鎖效應的起電初始電路。

背景技術

請參照圖1，圖1為先前技術說明一起電初始電路100的示意圖。當一高電壓啟動信號VHES尚未啟動一高電壓產生單元102時，起電初始電路100利用一N型金屬氧化物半導體二極管104固定節點A的電位在VCC-Vth，其中VCC為一內部供應電壓，Vth為N型金屬氧化物半導體二極管104的臨界電壓，以及高電壓啟動信號VHES由一起電電路(power-up?circuit)產生；當高電壓啟動信號VHES啟動高電壓產生單元102時，高電壓產生單元102產生一內部高電壓VIH，其中內部高電壓VIH大于VCC-Vth。

在先進金屬氧化物半導體晶體管制作過程中，內部供應電壓VCC隨著金屬氧化物半導體晶體管制作過程的進步而逐漸降低，所以VCC-Vth亦逐漸降低。因為VCC-Vth逐漸降低，所以起電初始電路100的起電(power-up)能力降低，以及會出現一些使用者不想要的邊際效應(side?effect)或是閂鎖(latch-up)效應。因此，對于使用者而言，起電初始電路100并非是一個好的起電初始電路。

發明內容

本發明的一實施例提供一種起電初始電路。該起電初始電路包含一起電控制單元、一第一開關和一第二開關。該起電控制單元用以接收一高電壓啟動信號，以及產生一第一起電控制信號；該第一開關具有一第一端，用以接收一外部電壓，一第二端，用以耦接于該起電控制單元，以接收該第一起電控制信號，及一第三端；該第二開關具有一第一端，耦接于該第一開關的第三端，一第二端，用以耦接于該起電控制單元，以接收該第一起電控制信號，及一第三端，用以耦接于一高電壓產生單元。

上述的起電初始電路，其中該高電壓產生單元另用以接收該高電壓啟動信號。

上述的起電初始電路，其中當該高電壓啟動信號為一低電位時，該第一開關與該第二開關根據該第一起電控制信號開啟，該高電壓產生單元根據該高電壓啟動信號關閉，以及該第一開關的第三端的電位與該第二開關的第三端的電位為該外部電壓。

上述的起電初始電路，其中當該高電壓啟動信號為一高電位時，該第一開關與該第二開關根據該第一起電控制信號關閉，該高電壓產生單元根據該高電壓啟動信號開啟，以產生并輸出一內部高電壓，以及該第二開關的第三端的電位為該內部高電壓。

上述的起電初始電路，其中該第一開關與該第二開關為P型金屬氧化物半導體晶體管。

上述的起電初始電路，另包含：一第三開關，具有一第一端，用以接收一內部電壓，一第二端，用以耦接于該起電控制單元，以接收該起電控制單元所產生的一第二起電控制信號，及一第三端，耦接于該第一開關的第三端；其中該第二起電控制信號和該第一起電控制信號反相。

上述的起電初始電路，其中該高電壓產生單元另用以接收該高電壓啟動信號。

上述的起電初始電路，其中當該高電壓啟動信號為一低電位時，該第一開關與該第二開關根據該第一起電控制信號開啟，該第三開關根據該第二起電控制信號關閉，該高電壓產生單元根據該高電壓啟動信號關閉，以及該第一開關的第三端的電位與該第二開關的第三端的電位為該外部電壓。

上述的起電初始電路，其中當該高電壓啟動信號為一高電位時，該第一開關與該第二開關根據該第一起電控制信號關閉，該第三開關根據該第二起電控制信號開啟，該高電壓產生單元根據該高電壓啟動信號開啟，以產生并輸出一內部高電壓，以及該第一開關的第三端的電位為該內部電壓與該第二開關的第三端的電位為該內部高電壓。

上述的起電初始電路，其中該起電控制單元包含：一第一反相器，具有一第一端，用以接收該高電壓啟動信號，及一第二端，耦接于該第三開關的第二端，用以輸出該第二起電控制信號，其中該第二起電控制信號和該高電壓啟動信號反相；及一第二反相器，具有一第一端，耦接于該第一反相器的第二端，用以接收該第二起電控制信號，及一第二端，耦接于該第一開關的第二端與該第二開關的第二端，用以輸出該第一起電控制信號。

上述的起電初始電路，其中該第三開關為一P型金屬氧化物半導體晶體管。

上述的起電初始電路，其中該起電控制單元包含：一第一反相器，具有一第一端，用以接收該高電壓啟動信號，及一第二端；及一第二反相器，具有一第一端，耦接于該第一反相器的第二端，及一第二端，耦接于該第一開關的第二端與該第二開關的第二端，用以輸出該第一起電控制信號。