[發明專利]多層微結構磁鐵無效
| 申請號: | 201210162330.1 | 申請日: | 2012-05-23 |
| 公開(公告)號: | CN103138416A | 公開(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發明(設計)人: | 彭明燦;陽毅平;簡士翔 | 申請(專利權)人: | 財團法人工業技術研究院 |
| 主分類號: | H02K1/06 | 分類號: | H02K1/06 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多層 微結構 磁鐵 | ||
1.一種多層微結構磁鐵,包括:
材料層結構;以及
微結構磁鐵,其形成于該材料層結構的一表面或內層,該微結構磁鐵具有由不同磁場大小所構成的一磁場分布。
2.如權利要求1所述的多層微結構磁鐵,該材料層結構為一單層結構或者是多層結構。
3.如權利要求2所述的多層微結構磁鐵,該材料層結構的多層結構,各層的材料為永磁、導磁或不導磁材料。
4.如權利要求1所述的多層微結構磁鐵,其設置于一磁化區域內,該磁化區域所具有的主要磁鐵磁化方向與該材料層結構的多層結構的堆疊方向夾角接近90度。
5.如權利要求1所述的多層微結構磁鐵,其設置于一磁化區域內,該磁化區域所具有的主要磁鐵磁化方向與該材料層結構的多層結構的堆疊方向夾角接近0度。
6.如權利要求1所述的多層微結構磁鐵,該微結構磁鐵通過脈沖寬度調變(pulse?width?modulation,PWM)的形式,以產生相應的磁場分布。
7.如權利要求1所述的多層微結構磁鐵,該材料層結構表面是弧面,成正弦波(sinusoidal)形狀,該微結構磁鐵分布在該材料層結構表面的弧面上,以產生相應的磁場分布。
8.如權利要求1所述的多層微結構磁鐵,該材料層結構內部堆疊層之間,是以弧面的形狀相接,以產生相應的磁場分布。
9.如權利要求1所述的多層微結構磁鐵,該材料層結構的表面或內部具有多個凹槽,該微結構磁鐵還具有多個磁鐵,每一個磁鐵嵌入于每個凹槽內。
10.如權利要求9所述的多層微結構磁鐵,該微結構磁鐵高于、等于、或低于該材料層結構凹槽的深度。
11.如權利要求1所述的多層微結構磁鐵,其形成于一能量轉換裝置的一轉子及一定子的其中一者上。
12.如權利要求11所述的多層微結構磁鐵,該能量轉換裝置是徑向磁通馬達、軸向磁通馬達、線性馬達或發電機。
13.一種多層微結構磁鐵,包括:
微結構磁鐵,其形成于一轉子及一定子的其中一者上,該微結構磁鐵具有由不同磁場大小所構成的一磁場分布。
14.如權利要求13所述的多層微結構磁鐵,該微結構磁鐵通過脈沖寬度調變(pulse?width?modulation,PWM)的形式,以產生相應的磁場分布。
15.如權利要求13所述的多層微結構磁鐵,該微結構磁鐵表面是弧面,成正弦波(sinusoidal)形狀,以產生相應的磁場分布。
16.如權利要求13所述的多層微結構磁鐵,其形成于一能量轉換裝置的該轉子及該定子的其中一者上。
17.如權利要求16所述的多層微結構磁鐵,該能量轉換裝置是徑向磁通馬達、軸向磁通馬達、線性馬達或發電機。
18.一種多層微結構磁鐵,包括:
多層材料層結構,其形成于一轉子及一定子的其中一者上,該多層材料層結構具有由不同磁場大小所構成的一磁場分布。
19.如權利要求18所述的多層微結構磁鐵,該材料層結構是多層結構,各層的材料為永磁,導磁或不導磁材料。
20.如權利要求18所述的多層微結構磁鐵,其設置于一磁化區域內,該磁化區域所具有的主要磁鐵磁化方向與該材料層結構的多層結構的堆疊方向夾角接近90度。
21.如權利要求18所述的多層微結構磁鐵,其設置于一磁化區域內,該磁化區域所具有的主要磁鐵磁化方向與該材料層結構的多層結構的堆疊方向夾角接近0度。
22.如權利要求18所述的多層微結構磁鐵,該材料層結構表面是弧面,成正弦波(sinusoidal)形狀,以產生相應的磁場分布。
23.如權利要求18所述的多層微結構磁鐵,該材料層結構內部堆疊層之間,以弧面的形狀相接,以產生相應的磁場分布。
24.如權利要求18所述的多層微結構磁鐵,其形成于一能量轉換裝置的該轉子及該定子的其中一者上。
25.如權利要求24所述的多層微結構磁鐵,該能量轉換裝置是徑向磁通馬達、軸向磁通馬達、線性馬達或發電機。
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