1.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

在導電層上設置掩模的多個凸部，所述掩模通過設置多個凸部在帶有多個開口的支承基板上而形成；

在所述導電層上形成絕緣膜；

去除所述掩模，在所述絕緣膜中形成開口；以及

形成導電膜，使所述導電膜在所述絕緣膜的開口中與所述導電層接觸。

2.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

形成包括柵電極層、柵極絕緣層、半導體層、源電極層及漏電極層的薄膜晶體管；

在所述源電極層或所述漏電極層上設置掩模的多個凸部，所述掩模通過設置多個凸部在帶有多個開口的支承基板上而形成；

在具有所述源電極層和所述漏電極層的所述薄膜晶體管上形成絕緣膜；

去除所述掩模，在所述絕緣膜中形成開口；以及

形成像素電極層，使所述像素電極層在所述絕緣膜的開口中與所述源電極層或所述漏電極層接觸。

3.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

形成包括柵電極層、柵極絕緣層、半導體層、源電極層及漏電極層的薄膜晶體管；

在所述源電極層或所述漏電極層上設置掩模的多個凸部，所述掩模通過設置多個凸部在帶有多個開口的支承基板上而形成；

在具有所述源電極層和所述漏電極層的所述薄膜晶體管上形成絕緣膜；

去除所述掩模，在所述絕緣膜中形成開口；

形成第一電極層，使第一電極層在所述絕緣膜的開口中與所述源電極層或所述漏電極層接觸；

在所述第一電極層上形成場致發光層；以及

在所述場致發光層上形成第二電極層。

4.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

形成包括柵電極層、柵極絕緣層、半導體層、源電極層及漏電極層的薄膜晶體管；

在所述源電極層或所述漏電極層上設置掩模的多個凸部，所述掩模通過設置多個凸部在帶有多個開口的支承基板上而形成；

在具有所述源電極層和所述漏電極層的所述薄膜晶體管上形成絕緣膜；

去除所述掩模，在所述絕緣膜中形成開口；

形成第一電極層，使第一電極層在所述絕緣膜的開口中與所述源電極層或所述漏電極層接觸；

在所述第一電極層上形成電泳元件；以及

在所述電泳元件上形成第二電極層。

5.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

形成包括柵電極層、柵極絕緣層、半導體層、源電極層及漏電極層的薄膜晶體管；

在所述源電極層或所述漏電極層上設置掩模的多個凸部，所述掩模通過設置多個凸部在帶有多個開口的支承基板上而形成；

在具有所述源電極層和所述漏電極層的所述薄膜晶體管上形成絕緣膜；

去除所述掩模，在所述絕緣膜中形成開口；

形成第一電極層，使第一電極層在所述絕緣膜的開口中與所述源電極層或所述漏電極層接觸；

在所述第一電極層上形成第二電極層；以及

在第一電極層和第二電極層之間配置涂成黑色和白色的球形粒子。

6.如權利要求1-5中任一項所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述絕緣膜通過蒸鍍法、濺射法或化學氣相沉積法形成。

7.如權利要求1-5中任一項所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述掩模的多個凸部中的其中一個為針狀。

8.如權利要求1-5中任一項所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述掩模通過蝕刻去除。

9.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

形成包括源區及漏區的半導體層；

在所述源區及所述漏區上設置掩模的多個凸部，所述掩模通過設置多個凸部在帶有多個開口的支承基板上而形成；

在所述源區及所述漏區上形成第一絕緣膜；

去除所述掩模形成具有第一開口的柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成柵電極層；

在所述第一開口中設置所述掩模的多個凸部；

在具有所述源區及所述漏區的所述半導體層以及所述柵電極層上形成第二絕緣膜；

去除所述掩模，形成具有第二開口的絕緣層。

10.如權利要求9所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜通過蒸鍍法、濺射法或化學氣相沉積法形成。

11.如權利要求9所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述掩模的多個凸部中的其中至少一個為針狀。