技術領域

本發明涉及半導體制造領域，更具體地說，本發明涉及一種提高存儲器可靠性的方法以及采用了該提高存儲器可靠性的方法的閃存操作方法。

背景技術

半導體存儲器件（例如閃存）不斷地朝著高集成度和高容量存儲單元的方向發展。在閃存設計中，通常采用各種錯誤檢查及糾正修復方法來提高閃存芯片的成品率。

在現有的閃存錯誤檢查及糾正修復方法中，有時候僅僅能夠進行錯誤檢查，而不能及時地進行錯誤糾正修復；或者，雖然有些方法能夠進行錯誤糾正修復，但是其錯誤檢查能力有限，而錯誤糾正修復只能糾正那些有限的能夠檢查出來的錯誤，從而也造成了閃存的成品率的下降。

從而，現有的閃存錯誤檢查及糾正修復方法很難使得嵌入式閃存滿足PPM（即，一百萬個元器件里的失效率）的規范要求。

因此，希望能夠提供一種系統性的提高存儲器可靠性的方法。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在上述缺陷，提供一種提高存儲器可靠性的方法以及采用了該提高存儲器可靠性的方法的閃存操作方法。

根據本發明的第一方面，提供了一種提高存儲器可靠性的方法，其包括：記錄壞扇區地址，并且為壞扇區分配用于替換的冗余扇區；利用校驗和糾錯碼對存儲器的扇區進行讀取或編程；判斷當前打算讀取或編程的扇區的扇區地址是否是被記錄的壞扇區地址；如果當前打算讀取或編程的扇區的扇區地址是被記錄的壞扇區地址，則對用于替換與被記錄的壞扇區地址所對應的壞扇區的冗余扇區進行讀取或編程。

優選地，所述提高存儲器可靠性的方法還包括：如果當前打算讀取或編程的扇區的扇區地址是被記錄的壞扇區地址，則對當前讀取或編程的扇區進行讀取或編程。

根據本發明的第一方面，提供了一種提高存儲器可靠性的方法，其包括：記錄壞扇區地址，并且為壞扇區分配用于替換的冗余扇區；對存儲器的扇區進行擦除；判斷當前打算擦除的扇區的扇區地址是否是被記錄的壞扇區地址；如果當前打算擦除的扇區的扇區地址是被記錄的壞扇區地址，則對用于替換所述壞扇區的冗余扇區進行擦除。

優選地，所述提高存儲器可靠性的方法還包括：在對用于替換所述壞扇區的冗余扇區進行擦除之后，利用校驗和糾錯碼對所述冗余扇區進行讀取檢測，并且在所述讀取檢測沒有通過的情況下判斷存儲器功能失效。

優選地，所述提高存儲器可靠性的方法還包括：如果當前打算擦除的扇區的扇區地址不是被記錄的壞扇區地址，則對當前打算擦除的扇區進行擦除，并且利用校驗和糾錯碼對當前打算擦除的扇區進行讀取檢測。

優選地，所述提高存儲器可靠性的方法還包括：在所述取檢測未通過的情況下判斷當前打算擦除的扇區的扇區地址是否是已經記錄的壞扇區地址。

優選地，所述提高存儲器可靠性的方法還包括：如果判斷當前打算擦除的扇區的扇區地址是已經記錄的壞扇區地址，則判斷存儲器功能失效。

優選地，所述提高存儲器可靠性的方法還包括：如果判斷當前打算擦除的扇區的扇區地址不是已經記錄的壞扇區地址，則將當前打算擦除的扇區的扇區地址記錄為壞扇區地址。

優選地，所述存儲器是嵌入式閃存。

根據本發明的第三方面，提供了一種采用了根據本發明的第一方面的提高存儲器可靠性的方法的閃存操作方法。

附圖說明

結合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優點和特征，其中：

圖1示意性地示出了根據本發明實施例的提高存儲器可靠性的方法。

圖2示意性地示出了根據本發明另一實施例的提高存儲器可靠性的方法。

需要說明的是，附圖用于說明本發明，而非限制本發明。注意，表示結構的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。

具體實施方式

為了使本發明的內容更加清楚和易懂，下面結合具體實施例和附圖對本發明的內容進行詳細描述。

<第一實施例>

根據本發明第一實施例的提高存儲器可靠性的方法包括：記錄壞扇區地址，并且為壞扇區分配用于替換的冗余扇區；利用校驗和糾錯碼對存儲器的扇區進行讀取或編程；判斷當前讀取或編程的扇區的扇區地址是否是被記錄的壞扇區地址；如果當前打算讀取或編程的扇區的扇區地址是被記錄的壞扇區地址，則對用于替換與被記錄的壞扇區地址所對應的壞扇區的冗余扇區進行讀取或編程；另一方面，如果當前打算讀取或編程的扇區的扇區地址是被記錄的壞扇區地址，則對當前讀取或編程的扇區進行讀取或編程。