1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

能夠進行真空排氣的處理容器；

向所述處理容器內(nèi)供給處理氣體的處理氣體供給部；

第一高頻供電部，其向配置在所述處理容器之中或附近的第一電極或天線施加第一高頻，以在所述處理容器內(nèi)對所述處理氣體進行激勵而生成等離子體；

以規(guī)定的周期對所述第一高頻的功率進行調(diào)制的第一高頻功率調(diào)制部；和

與所述第一高頻的功率調(diào)制實質(zhì)上同步地對所述第一高頻的頻率進行調(diào)制的第一頻率調(diào)制部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第一高頻功率調(diào)制部將1個周期分割成第一、第二、第三和第四狀態(tài)，控制所述第一高頻的功率，使得所述第一高頻的功率在所述第一狀態(tài)下維持第一功率設定值，在所述第二狀態(tài)下從所述第一功率設定值轉(zhuǎn)變?yōu)楸绕涓叩牡诙β试O定值，在所述第三狀態(tài)下維持所述第二功率設定值，在所述第四狀態(tài)下從所述第二功率設定值轉(zhuǎn)變?yōu)樗龅谝还β试O定值；

所述第一頻率調(diào)制部控制所述第一高頻的頻率，使得所述第一高頻的頻率在所述第一狀態(tài)下維持第一頻率設定值，在所述第二狀態(tài)下從所述第一頻率設定值轉(zhuǎn)變?yōu)楸绕涞偷牡诙l率設定值，在所述第三狀態(tài)下維持第二頻率設定值，在所述第四狀態(tài)下從所述第二頻率設定值轉(zhuǎn)變?yōu)樗龅谝活l率設定值。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第一高頻供電部具有：

產(chǎn)生所述第一高頻的第一高頻電源；

匹配器，其包括匹配電路、傳感器和控制器，該匹配電路包括電連接在所述第一高頻電源的輸出端子與所述第一電極之間的可變電抗元件，該傳感器用于測定包括所述匹配電路的負載阻抗，該控制器響應所述傳感器的輸出信號，使所述可變電抗元件可變，從而使所述負載阻抗與基準阻抗一致；和

匹配控制部，其對所述匹配器進行控制，使得在所述第一狀態(tài)或所述第三狀態(tài)的任一狀態(tài)下能夠獲得阻抗的匹配。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于，具有：

對從所述第一電極側(cè)向所述第一高頻電源在傳輸線路上傳播的反射波的功率進行測定的反射波測定部。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述匹配控制部僅在所述第三狀態(tài)中設定的規(guī)定期間的時段內(nèi)使所述傳感器的輸出信號反饋至所述控制器。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第一頻率調(diào)制部選定所述第一頻率設定值，使得在所述第一狀態(tài)中通過所述反射波測定部得到的反射波功率的測定值成為最小值或其附近的值。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述匹配控制部僅在所述第一狀態(tài)中設定的規(guī)定期間的時段內(nèi)使所述傳感器的輸出信號反饋至所述控制器。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第一頻率調(diào)制部選定所述第三頻率設定值，使得在所述第三狀態(tài)中通過所述反射波測定部得到的反射波功率的測定值成為最小值或其附近的值。

9.根據(jù)權(quán)利要求4～8中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第一高頻功率調(diào)制部以規(guī)定的上升沿特性使所述第一高頻的功率從所述第一功率設定值轉(zhuǎn)變?yōu)樗龅诙β试O定值，與此同時，所述第一頻率調(diào)制部以規(guī)定的下降沿特性使所述第一高頻的頻率從所述第一頻率設定值轉(zhuǎn)變?yōu)樗龅诙l率設定值，使得在所述第二狀態(tài)中通過所述反射波測定部得到的反射波功率的測定值成為最小值或其附近的值。

10.根據(jù)權(quán)利要求4～8中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第一高頻功率調(diào)制部以規(guī)定的下降沿特性使所述第一高頻的功率從所述第二功率設定值轉(zhuǎn)變?yōu)樗龅谝还β试O定值，與此同時，所述第一頻率調(diào)制部以規(guī)定的上升沿特性使所述第一高頻的頻率從所述第二頻率設定值轉(zhuǎn)變?yōu)樗龅谝活l率設定值，使得在所述第四狀態(tài)中通過所述反射波測定部得到的反射波功率的測定值成為最小值或其附近的值。