1.一種高可靠SOI?LDMOS功率器件，其特征在于，包括：

在SOI?LDMOS功率器件的頂層硅中，注入有高濃度的埋層和接觸注入?yún)^(qū)，且埋層與接觸注入?yún)^(qū)連接；

通過(guò)所述埋層可充分抽取SOI?LDMOS功率器件中SOI?LDMOS柵附近的載流子，并經(jīng)所述接觸注入?yún)^(qū)引出，控制SOI?LDMOS柵附近的電位。

2.如權(quán)利要求1所述的高可靠SOI?LDMOS功率器件，其特征在于：

所述SOI?LDMOS是指以絕緣層上硅工藝所制成的橫向雙擴(kuò)散晶體管器件。

3.如權(quán)利要求2所述的高可靠SOI?LDMOS功率器件，其特征在于，所述絕緣層上硅工藝包括：

注氧隔離SIMOX或硅片鍵合反面腐蝕。

4.如權(quán)利要求3所述的高可靠SOI?LDMOS功率器件，其特征在于：

SOI?LDMOS的頂層硅是指埋氧層上制作半導(dǎo)體器件的區(qū)域。

5.如權(quán)利要求4所述的高可靠SOI?LDMOS功率器件，其特征在于：

所述接觸注入?yún)^(qū)與源端引出短接，使其電位與源區(qū)電位相等。

6.如權(quán)利要求5所述的高可靠SOI?LDMOS功率器件，其特征在于：

所述接觸注入?yún)^(qū)單獨(dú)接入一電位；

對(duì)于N型SOI?LDMOS，高濃度的P型接觸注入?yún)^(qū)連接并引出P型埋層，并與低于源端的電位連接；

對(duì)于P型SOI?LDMOS，高濃度的N型接觸注入?yún)^(qū)連接并引出N型埋層并與低于源端的電位連接。

7.如權(quán)利要求5或6所述的高可靠SOI?LDMOS功率器件，其特征在于，所述接觸注入?yún)^(qū)包括：

高濃度接觸注入?yún)^(qū)或金屬接觸引出區(qū)；

所述金屬接觸引出區(qū)中的金屬包括鋁、銅、鎢或其化合物。

8.如權(quán)利要求5或6所述的高可靠SOI?LDMOS功率器件，其特征在于，

所述埋層設(shè)在埋氧層表面或埋氧層與器件表面之間的位置；

所述埋層的范圍為器件工作區(qū)域的一部分、器件工作的全部區(qū)域或者整個(gè)SOI基底。