技術領域

本發(fā)明是有關于一種主動元件及主動元件陣列基板，且特別是關于一種雙通道的主動元件及主動元件陣列基板。

背景技術

近年來，隨著電子技術的日新月異，具有高畫質、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越特性的薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，TFT?LCD)已逐漸成為市場的主流。

隨著薄膜晶體管液晶顯示器大面積化和高解析度的需求，薄膜晶體管須具備高移動率的載子，因而驅使薄膜晶體管縮短其充放電時間。一般來說，考慮到高移動率(mobility)、高穩(wěn)定性(stability)以及低成本，驅動電路中TFT的半導體層可用非晶硅(amorphous?silicon，a-Si)來制作。但非晶硅薄膜晶體管(a-Si?TFT)在高效能電路的應用上受限于本體驅動能力，使非晶硅薄膜晶體管無法整合高速的周邊驅動電路與控制電路。

為了提升非晶硅薄膜晶體管的開電流，并進一步整合電路布局，達到元件面積縮小、提升像素開口率等效果。現(xiàn)有技術通過改變半導體通道層的結構與配置，例如改變半導體層的通道寬度與長度，然此方法有制程的極限，造成提升開電流的效果受限。又或者是利用提高元件尺寸以提高開電流，然而此方法會造成像素的開口率(aperture?ratio)下降，使得薄膜晶體管液晶顯示器整體亮度降低，且容易發(fā)生臨界電壓(threshold?voltage)偏移的現(xiàn)象。另外，又例如是利用雙柵極(dual?gate)來提升開電流。然而，雙柵極結構需包括前通道(front?channel)與背通道(back?channel)的薄膜晶體管，其中背通道因在制程過程中易對通道層造成損傷，故雙柵極結構的電流存在容易衰減的因素，造成開電流提升效果受限。除此之外，此方法亦無法整合電路布局，達到元件面積縮小、像素開口率的提升與高亮度等效果。

發(fā)明內容

本發(fā)明提供一種主動元件陣列基板，其利用單一柵極與雙通道立體堆疊結構，在提升開電流的同時亦達到電路布局整合的效果。

本發(fā)明提供一種主動元件，其利用單一柵極與雙通道的立體堆疊結構，可有效提升開電流。

本發(fā)明提供一種主動元件陣列基板，包括一基板以及位于基板上的多個主動元件，其中至少一主動元件包括一第一晶體管以及一第二晶體管。第一晶體管位于基板上，其中第一晶體管具有一第一通道層。第二晶體管堆疊在第一晶體管上，其中第二晶體管具有一第二通道層。第一晶體管與第二晶體管共用同一共用柵極，且共用柵極位于第一通道層與第二通道層之間。

在本發(fā)明的一實施例中，前述第一晶體管包括第一源極、第一漏極、第一摻雜非晶硅層以及第一柵絕緣層。第一源極與第一漏極位于共用柵極與基板之間。第一摻雜非晶硅層位于第一源極與第一通道層之間以及第一漏極與第一通道層之間。第一柵絕緣層位于共用柵極與第一通道層之間。

在本發(fā)明的一實施例中，前述第二晶體管包括第二柵絕緣層、第二源極、第二漏極以及第二摻雜非晶硅層。第二柵絕緣層位于共用柵極與第二通道層之間。第二源極與第二漏極位于第二通道層的兩側。第二摻雜非晶硅層位于第二源極與第二通道層之間以及第二漏極與第二通道層之間。

在本發(fā)明的一實施例中，前述第一晶體管可與第二晶體管電性串聯(lián)。

在本發(fā)明的一實施例中，前述第一晶體管與第二晶體管例如電性并聯(lián)。

在本發(fā)明的一實施例中，前述主動元件陣列基板可還包括一保護層以及一像素電極，其中保護層具有一暴露出第二漏極的開口，像素電極通過開口與第二漏極電性連接。

在本發(fā)明的一實施例中，前述主動元件陣列基板可還包括一保護層、一第一信號線以及一第二信號線，其中第一柵絕緣層具有一暴露出第一源極的接觸窗，第一信號線通過接觸窗與第一源極電性連接，保護層具有一暴露出第二漏極的開口，第二信號線通過開口與第二漏極電性連接。

本發(fā)明另提供一種主動元件，其位于一基板上，此主動元件包括一第一晶體管以及一第二晶體管。第一晶體管位于基板上，其中第一晶體管具有一第一通道層。第二晶體管堆疊在第一晶體管上，其中第二晶體管具有一第二通道層。第一晶體管與第二晶體管共用同一共用柵極，且共用柵極位于第一通道層與第二通道層之間。