[發(fā)明專利]一種有效提高區(qū)熔硅單晶徑向電阻率均勻性的直拉區(qū)熔氣摻法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210059756.4 | 申請(qǐng)日： | 2012-03-08 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102534753A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張雪囡;菅瑞娟;徐強(qiáng);李建宏;王彥君;沈浩平 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B13/12 | 分類號(hào)： | C30B13/12;C30B13/28;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津中環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 12105 | 代理人： | 莫琪 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 國(guó)省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 有效 提高 區(qū)熔硅單晶 徑向 電阻率 均勻 直拉區(qū)熔氣摻法 | ||
1.一種有效提高區(qū)熔硅單晶徑向電阻率均勻性的直拉區(qū)熔氣摻法，其特征在于，在硅多晶棒的生產(chǎn)時(shí)，采用雙石英坩堝法、降壓直拉法獲得軸向和徑向電阻率一致的硅多晶，之后將硅多晶進(jìn)行機(jī)加工并退火后置于區(qū)熔爐內(nèi)，通過區(qū)熔法進(jìn)行單晶拉制，若區(qū)熔單晶硅摻雜劑目標(biāo)濃度為c0，則控制硅多晶的尾部摻雜劑濃度為c0，k為摻雜劑偏析系數(shù)；所述方法包括如下步驟：?
1)??????采用雙石英坩堝直拉法拉制多晶硅棒，使多晶硅整棒濃度均為c0，將多晶硅棒進(jìn)行滾磨、開槽和削減機(jī)加工；?
2)??????采用機(jī)加工后的多晶硅作為原料，采用區(qū)熔法進(jìn)行拉晶，區(qū)熔拉晶時(shí)，從在擴(kuò)肩階段，通入定量摻雜氣，摻雜氣可以是磷烷或硼烷；摻雜氣為磷烷時(shí)，硅熔體中摻雜劑濃度達(dá)到值c0/k=1.7×1014?atom/cm3至6.5×1021atom/cm3范圍之后即停止通入摻雜氣；摻雜氣為硼烷時(shí)，硅熔體中摻雜劑濃度達(dá)到值c0/k=7.6×1013至1.6×1021atom/cm3范圍之后即停止通入摻雜氣；?
3)??????保持階段，假設(shè)結(jié)晶體積為V0，則流入的新熔體體積為V0，硅熔體體積恒定不變；由于結(jié)晶的單晶濃度為c0，則硅熔體摻雜劑減少量為c0*V0，而新增加的摻雜劑為c0*V0，摻雜劑總量不變，最終硅熔體摻雜劑濃度維持在c0/k，硅單晶的濃度也穩(wěn)定在c0目標(biāo)值；
根據(jù)上述步驟制備獲得的區(qū)熔硅單晶徑向電阻率均勻性達(dá)到＜7%。
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