1.一種制備區熔硅單晶的鑄造區熔氣摻法，其特征在于，采用鑄造法制備多晶硅，之后對多晶硅進行切方、滾磨、開槽和開圓錐機加工，以加工后的多晶硅棒作為區熔硅單晶原料，采用區熔氣摻法進行拉晶，且在開始拉晶時通入定量的摻雜氣，摻雜氣可以是磷烷或硼烷；摻雜氣為磷烷時，硅熔體中摻雜劑濃度達到值c0/k=1.7×10¹⁴?atom/cm³至6.5×10²¹atom/cm³范圍之后即停止通入摻雜氣；摻雜氣為硼烷時，硅熔體中摻雜劑濃度達到值c0/k=7.6×10¹³到1.6×10²¹atom/cm³范圍之后即停止通入摻雜氣；若區熔單晶硅摻雜劑目標濃度為c0則控制硅多晶的摻雜劑平均濃度值為c0，k為摻雜劑偏析系數；所述方法包括如下步驟：?

a)??????采用鑄造法制備多晶硅，然后對多晶硅進行切方、滾磨、開槽和開圓錐機加工；

b)??????以機加工后制得的多晶硅棒為原料，采用區熔氣摻法進行拉晶，通過現有技術，控制多晶硅棒橫截面摻雜劑濃度均為初始濃度c0；區熔拉晶時，從擴肩階段開始通入定量摻雜氣，通過現有氣摻技術，在保持階段使得硅熔體中摻雜劑的濃度值達到：c0/k，之后停止通入摻雜氣；

c)??????保持階段，假設結晶體積為V0，則流入的新熔體體積為V0，硅熔體體積恒定不變，結晶的硅單晶中摻雜劑濃度為c0，則硅熔體摻雜劑減少量為c0*V0，而新增加的摻雜劑為c0*V0，摻雜劑總量不變，最終，硅熔體摻雜劑濃度維持在c0/k，使硅單晶的濃度也穩定在c0這一目標值；

????根據上述步驟制備獲得的區熔硅單晶軸向及徑向電阻率均勻性達到RRV＜8%。