1.一種方法，包括：

將偏壓施加到被測(cè)器件以從所述被測(cè)器件生成應(yīng)力誘導(dǎo)漏電流SILC；

分析所述SILC以識(shí)別預(yù)災(zāi)變SILC情況，預(yù)計(jì)在所述預(yù)災(zāi)變SILC情況之后所述被測(cè)器件的電介質(zhì)災(zāi)變性地故障；

在所述預(yù)災(zāi)變SILC情況已被識(shí)別之后移除所述偏壓以防止所述電介質(zhì)的災(zāi)變性故障。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，分析所述SILC以識(shí)別所述預(yù)災(zāi)變SILC情況包括：

在所述預(yù)災(zāi)變SILC情況之前識(shí)別所述SILC的基數(shù)電平；以及

在所述基數(shù)電平已被識(shí)別之后識(shí)別所述SILC的增加量；以及

將所述SILC的所述增加量與預(yù)定閾值進(jìn)行比較以識(shí)別所述預(yù)災(zāi)變SILC情況。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，對(duì)數(shù)型電流至電壓轉(zhuǎn)換器將所述被測(cè)器件偏壓，以及其中，所述基數(shù)電平由所述對(duì)數(shù)型電流至電壓轉(zhuǎn)換器的反饋環(huán)中的無(wú)源部件設(shè)定。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述無(wú)源部件是二極管。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：

在所述偏壓已被移除之后，分析所述被測(cè)器件以識(shí)別導(dǎo)致所述預(yù)災(zāi)變SILC情況的缺陷。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，分析所述被測(cè)器件包括使用光發(fā)射顯微鏡或掃描電子顯微鏡以分析所述器件的結(jié)構(gòu)特性來(lái)確定所述預(yù)災(zāi)變SILC情況的起因。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，分析所述SILC以識(shí)別所述預(yù)災(zāi)變SILC情況包括：

在所述SILC以第一速率增大的第一時(shí)段期間監(jiān)控所述SILC；

在所述第一時(shí)段之后的第二時(shí)段期間監(jiān)控所述SILC，其中，所述SILC在所述第二時(shí)段期間以第二速率減小；

在所述第二時(shí)段之后的第三時(shí)段期間監(jiān)控所述SILC，其中，所述SILC在所述第三時(shí)段期間處于基數(shù)電平；

在所述基數(shù)電平已被識(shí)別之后識(shí)別所述SILC的增加量；以及

將所述增加量與預(yù)定閾值進(jìn)行比較以識(shí)別所述預(yù)災(zāi)變SILC情況。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述被測(cè)器件包括晶體管，所述晶體管包括：

半導(dǎo)體基片；

柵電極，形成在所述半導(dǎo)體基片上或所述基片中；

其中，所述電介質(zhì)是設(shè)置在所述半導(dǎo)體基片與所述柵電極之間的柵極氧化物。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述柵極氧化物的厚度大于5納米。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，偏壓所述晶體管包括：

跨所述柵電極和所述基片施加恒定電壓偏壓，以從所述晶體管生成應(yīng)力誘導(dǎo)柵極漏電流，

其中，所述恒定電壓偏壓大于所述晶體管的閾值電壓。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述被測(cè)器件包括電容器，所述電容器包括：

第一導(dǎo)電板；以及

第二導(dǎo)電板，與所述第一導(dǎo)電板電分離；

其中，所述電介質(zhì)是設(shè)置在所述第一導(dǎo)電板和所述第二導(dǎo)電板之間的電介質(zhì)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述電介質(zhì)的厚度大于5納米。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，施加到所述被測(cè)器件的所述偏壓是恒定電壓偏壓。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，施加到所述被測(cè)器件的所述偏壓是斜坡電壓偏壓。

15.一種方法，包括：

將偏壓施加到包含電介質(zhì)層的被測(cè)器件，以通過(guò)所述電介質(zhì)層生成應(yīng)力誘導(dǎo)漏電流SILC；

識(shí)別所述SILC的基數(shù)電平；

在所述基數(shù)電平已被識(shí)別之后確定所述SILC的增加量；以及

將所述SILC的增加量與預(yù)定閾值進(jìn)行比較以識(shí)別預(yù)災(zāi)變SILC情況。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步包括：

在所述預(yù)災(zāi)變SILC情況已被識(shí)別之后移除所述偏壓以防止所述電介質(zhì)層的災(zāi)變性故障。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，進(jìn)一步包括：

在所述偏壓已被移除之后，分析所述被測(cè)器件的物理結(jié)構(gòu)以識(shí)別導(dǎo)致所述預(yù)災(zāi)變情況的缺陷。