[發明專利]一種通過改變溝道應力提高SONOS器件工作速度的方法無效
| 申請號： | 201210047353.8 | 申請日： | 2012-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN102543887A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 黃奕仙;楊斌;郭明升 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8247 | 分類號： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 通過 改變 溝道 應力 提高 sonos 器件 工作 速度 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種通過改變溝道應力提高SONOS器件工作速度的方法，其特征在于，包括以下順序步驟：
步驟1：在完成源漏端注入的SONOS器件的表面淀積一層氮化硅層；
步驟2：改變SONOS器件的溝道中的應力；
步驟3：除去SONOS器件表面上覆蓋的氮化硅層。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化硅層內具有高張應力。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化硅層的厚度為300~600埃。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述氮化硅層的厚度為400~500埃。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用瞬間退火方式改變SNONS器件溝道中的應力。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述瞬間退火的溫度為1000~1050℃。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法刻蝕或濕法刻蝕除去氮化硅層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
