[發(fā)明專利]高頻開關(guān)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210018316.4 | 申請(qǐng)日: | 2012-01-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103219975B | 公開(公告)日: | 2016-10-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 杉浦毅 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H03K17/56 | 分類號(hào): | H03K17/56 |
| 代理公司: | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人: | 余剛;吳孟秋 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 高頻 開關(guān) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及高頻開關(guān)。?
背景技術(shù)
最近,正在急速進(jìn)行便攜式電話機(jī)等無線通信設(shè)備的小型化。作為實(shí)現(xiàn)無線通信設(shè)備的小型化的方法,例如有降低無線通信設(shè)備的消耗功率,將裝載于無線通信設(shè)備的電池進(jìn)一步小型化的方法。無線通信設(shè)備內(nèi)部具有多個(gè)半導(dǎo)體集成電路,電池供給的功率的一部分由這些半導(dǎo)體集成電路消耗。在這些半導(dǎo)體集成電路中有在天線與發(fā)送/接收電路之間切換高頻信號(hào)傳輸路徑的高頻半導(dǎo)體開關(guān)(下面稱為高頻開關(guān))。高頻開關(guān)的消耗功率雖然不大,但是高頻開關(guān)中的插入損耗直接影響發(fā)送電路的發(fā)送功率放大器中的消耗功率。?
作為高頻開關(guān),公開有例如下面專利文獻(xiàn)1中的高頻開關(guān)。在專利文獻(xiàn)1的高頻開關(guān)中,由形成在絕緣襯底上的硅(SOI:Silicon?On?Insulator)基板上的金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管(MOSFET:Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor)構(gòu)成高頻開關(guān),從而降低高頻開關(guān)中的消耗功率。?
專利文獻(xiàn)1:日本專利公開公報(bào)特開2009-194891號(hào)?
但是,上述專利文獻(xiàn)1公開的高頻開關(guān)中沒有充分考慮混合有時(shí)分雙工通信系統(tǒng)和頻分復(fù)用通信系統(tǒng)的多模式系統(tǒng)中的插入損耗特性。?
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于改善多模式系統(tǒng)中形成在SOI基板上的高頻開關(guān)的插入損耗特性。?
本發(fā)明的上述目的通過以下方案來實(shí)現(xiàn)。?
本發(fā)明的高頻開關(guān)包括至少一個(gè)第一端口、至少一個(gè)第二端口、共用端口、第一串聯(lián)開關(guān)以及第二串聯(lián)開關(guān)。第一端口連接于時(shí)分雙工通信系統(tǒng),用于輸入或輸出高頻信號(hào)。第二端口連接于頻分雙工系統(tǒng),用于輸入或輸出高頻信號(hào)。共用端口用于發(fā)送或接收通過第一端口或第二端口輸入或輸出的高頻信號(hào)。第一串聯(lián)開關(guān)具有至少一個(gè)第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管,根據(jù)施加到連接于第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的第一柵極電阻的電壓,導(dǎo)通或截止第一端口與共用端口之間的連接。第二串聯(lián)開關(guān)具有至少一個(gè)第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管,根據(jù)施加到連接于第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極且電阻值大于第一柵極電阻的第二柵極電阻帶來的電壓,導(dǎo)通或截止第二端口與共用端口之間的連接。?
根據(jù)本發(fā)明的高頻開關(guān),能夠維持連接于時(shí)分雙工通信系統(tǒng)的開關(guān)的良好的切換速度特性,同時(shí)能夠改善連接于頻分復(fù)用通信系統(tǒng)的開關(guān)的插入損耗特性。結(jié)果,能夠降低多模式系統(tǒng)中的發(fā)送電路的發(fā)送功率放大器的消耗功率。?
附圖說明
圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的高頻開關(guān)電路圖。?
圖2是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的高頻開關(guān)電路圖。?
具體實(shí)施方式
下面,參照附圖對(duì)本發(fā)明的高頻開關(guān)的實(shí)施方式進(jìn)行說明。本發(fā)明的高頻開關(guān)廣泛適用于通用移動(dòng)通信系統(tǒng)(UMTS:Universal?Mobile?Telecommunications?System)、移動(dòng)通信全球系統(tǒng)(GSM:Global?System?for?Mobile?Communications)等無線通信系統(tǒng)的高頻開關(guān)。?
(第一實(shí)施方式)?
圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的高頻開關(guān)電路圖。根據(jù)本實(shí)施方式的高頻開關(guān),將連接于頻分復(fù)用系統(tǒng)(下面稱為FDD系統(tǒng))的開關(guān)的柵極電阻的電阻值設(shè)定為大于連接于時(shí)分復(fù)用系統(tǒng)(下面稱為TDD系統(tǒng))的開關(guān)的柵極電阻的電阻值。?
如圖1所示,本實(shí)施方式的高頻開關(guān)100包括TDD端口10、TDD端口11、FDD端口20、FDD端口21、共用端口30、TDD側(cè)串聯(lián)開關(guān)40、TDD側(cè)串聯(lián)開關(guān)41、FDD側(cè)串聯(lián)開關(guān)50、FDD側(cè)串聯(lián)開關(guān)51。?
TDD端口10、TDD端口11為第一端口,是用于輸入來自TDD系統(tǒng)的高頻信號(hào)或者用于向TDD系統(tǒng)輸出來自天線的高頻信號(hào)的端口。TDD端口10、TDD端口11分別連接于TDD側(cè)串聯(lián)開關(guān)40、TDD側(cè)串聯(lián)開關(guān)41的一側(cè)信號(hào)端子上。?
FDD端口20、FDD端口21為第二端口,是用于輸入來自FDD系統(tǒng)的高頻信號(hào)或者向FDD系統(tǒng)輸出來自天線的高頻信號(hào)的端口。FDD端口20、FDD端口21分別連接于FDD側(cè)串聯(lián)開關(guān)50、FDD側(cè)串聯(lián)開關(guān)51的一側(cè)信號(hào)端子上。?
共用端口30是用于發(fā)送或接收高頻信號(hào)的端口。共用端口30連接于TDD側(cè)串聯(lián)開關(guān)40、TDD側(cè)串聯(lián)開關(guān)41的另一側(cè)信號(hào)端子和FDD側(cè)串聯(lián)開關(guān)50、FDD側(cè)串聯(lián)開關(guān)51的另一側(cè)信號(hào)端子上。?
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