1.一種用于合成四氟化硅的工藝，所述工藝包括以下步驟：

a)提供具有可密封的攪拌棒的可加熱室，

b)用固體氟硅酸鈉來裝填所述室，

c)攪拌所述固體氟硅酸鈉，

d)將所述氟硅酸鈉(SFS)加熱到至少高于約100℃，

e)將水從所述室去除，

f)將所述氟硅酸鈉(SFS)加熱到至少約500℃，

g)四氟化硅(SiF4)從所述室去除，

h)其中所述可密封的攪拌棒通過鐵磁流體密封件與所述室的外部隔離，且所述室的內部通過唇緣密封件與所述鐵磁流體密封件隔離。

2.根據權利要求2所述的用于合成四氟化硅的工藝，其進一步包括在所述將水從所述室去除的步驟期間用干燥的惰性氣體來覆蓋所述鐵磁流體密封件的步驟。

3.根據權利要求2所述的用于合成四氟化硅的工藝，其進一步包括在所述將所述四氟化硅(SiF4)從所述室移除的步驟期間排空所述鐵磁流體密封件區的步驟。

4.一種設備，其包括：

a)可密封室，

b)可旋轉軸，其從所述室的上部向下延伸，

c)攪拌漿葉，其安置于所述軸的遠離所述室的所述上部的端部，所述攪拌漿葉基本上至少與所述室的底部的曲率一致，

d)上部鐵磁流體密封件，其將所述可旋轉軸的上端連接到在所述室外部的驅動軸，

e)下部雙唇緣密封件，其安置于所述上部流體密封件與環繞所述可旋轉軸的所述室的內部之間，

f)第一入口，其與環繞所述可旋轉軸的第一區流體連通，安置于所述上部鐵磁流體密封件與下部唇緣密封件之間，用于選擇性地排空和覆蓋所述第一區，

g)第二入口，其與環繞所述可旋轉軸的第二區流體連通，安置于雙唇緣密封件之間，用于選擇性地排空和覆蓋所述第二區。

5.一種用于提供純四氟化硅(SiF4)的工藝，所述工藝包括以下步驟：

a)將氟硅酸鈉(SFS)放入反應室中，

b)提供具有密封區的第一干式真空泵，以將所述反應室排空到小于約100托，

c)提供壓縮機以取得所述真空泵的輸出，

d)使所述壓縮機通電，

e)將四氟化硅(SiF4)氣體提供給所述干式真空泵的所述密封區，

f)將所述氟硅酸鈉(SFS)加熱到至少700℃，

g)使所述干式真空泵通電以將所述室排空到小于200托，

h)將形成于所述反應室中的所述純四氟化硅(SiF4)壓縮到至少300psi。

6.一種用于獲得純腐蝕性氣體的工藝，所述工藝包括以下步驟：

a)提供具有至少一個出口的第一反應室；

b)提供第一干式真空泵，其與所述至少一個出口流體連通，以將所述反應室中的腐蝕性氣體排空，

c)提供壓縮機以取得所述真空泵的輸出，

d)使所述壓縮機通電，

e)將純凈的所述腐蝕性氣體提供給所述干式真空泵的密封件，

f)開始在所述反應室中進行產生所述腐蝕性氣體的反應，

g)使所述干式真空泵通電，以排空所述室，從而將所述腐蝕性氣體從所述室去除，

h)壓縮從所述干式真空泵取得的所述腐蝕性氣體。

7.根據權利要求2所述的用于獲得純腐蝕性氣體的工藝，其進一步包括用所述純壓縮氣體填充一個或多個罐的步驟。

8.根據權利要求2所述的用于獲得純腐蝕性氣體的工藝，其中向所述干式真空泵的所述密封件提供的所述純凈的腐蝕性氣體可從所述純壓縮氣體的罐中獲得。

9.根據權利要求2所述的用于獲得純腐蝕性氣體的工藝，其中向所述干式真空泵的所述密封件提供的所述純凈的腐蝕性氣體可通過將所述純氣體從將所述干式泵連接到所述壓縮機的連接線路中排出而獲得。

10.根據權利要求2所述的用于獲得純腐蝕性氣體的工藝，其進一步包括將氟硅酸鈉(SFS)放入所述反應室的步驟，且所述開始在所述反應室中進行產生所述腐蝕性氣體的反應的步驟包括將所述氟硅酸鈉(SFS)加熱到至少約700℃，以產生四氟化硅(SiF4)作為所述純腐蝕性氣體。

11.根據權利要求6所述的用于獲得純腐蝕性氣體的工藝，其中所述使所述干式真空泵通電以排空所述室從而將所述四氟化硅(SiF4)去除的步驟包括將所述反應室排空到小于約100托。