1.峰值采樣保持電路，其特征在于包括峰值采樣電路、補償電路、峰值保持電路、峰值輸出緩沖電路和清零電路：

所述峰值采樣電路采樣輸入信號的各個時間點的峰值電壓；

所述補償電路是對所述峰值采樣電路的采樣電容進行充電電流補償，使得峰值采樣電路的速度會加快；

所述峰值保持電路對峰值采樣輸出電路輸出的電壓進行保持；

所述峰值輸出緩沖電路增強所述峰值保持電路的輸出負載驅動能力；

所述清零電路在峰值保持電路輸出電壓后，將峰值采樣電路輸出的上一周期峰值電壓及時進行清零，以便下一周期進行峰值采樣。

2.如權利要求1所述峰值采樣保持電路，其特征在于所述峰值采樣電路包括輸入緩沖器、比較器、采樣開關、采樣電容、邏輯門：

所述比較器比較輸入信號的電壓與峰值采樣緩沖輸出電路輸出的電壓，比較器的輸出同采樣控制線的控制信號輸入邏輯門，當峰值采樣電路輸入信號的電壓大于采樣緩沖輸出電路輸出的電壓時，且采樣控制線為有效控制電平的控制下，使得采樣開關導通，采樣電容進行采樣；當輸入信號的電壓小于采樣緩沖輸出電路輸出的電壓，或采樣控制線為為無效控制電平的控制下，采樣開關關斷，采樣電容不進行采樣，保持原狀態；

所述輸入緩沖器為第一運算放大器，第一運算放大器的正端接輸入信號，第一運算放大器的負端連接第一運算放大器的輸出，第一運算放大器的輸出端連接采樣開關；

所述采樣電容的一端接采樣開關的輸出，另一端接地。

述采樣開關由一個PMOS管、一個NMOS管、一個反相器組成，所述PMOS管的漏極連接NMOS管的源極并作為采樣開關管的一端，所述PMOS管的源極連接NMOS管的漏極并作為采樣開關的另一端，所述PMOS管的柵極和NMOS的柵極通過反向器連接，PMOS管或NMOS管的柵極連接所述的邏輯門。

所述采樣開關的另外一種實現方式是由一個MOS管組成，所述MOS管的源極和漏極分別作為采樣開關的兩端，柵極連接所述的邏輯門。

3.如權利要求1所述峰值采樣保持電路，其特征在于所述補償電路由第二比較器、第一電流源、NMOS管鏡像電流、PMOS鏡像電流和開關NMOS管組成，所述第二比較器的正端接一基準電壓，負端接輸入信號；當輸入信號電壓大于基準電壓時，第二比較器的輸出電壓為低電平，此時補償電路開始對充電電流進行補償；當輸入信號電壓小于基準電壓時，第二比較器的輸出電壓為高電平，此時補償電路不對充電電流補償。

4.如權利要求1所述峰值采樣保持電路，其特征在于所述峰值保持電路包括保持開關、?保持電容、峰值保持控制線，當峰值保持控制線為有效控制電平，保持開關導通，保持電容進行充電，直到充電到峰值采樣電路輸出的峰值電壓為止，從而使得峰值采樣電路輸出的峰值電壓轉移到峰值保持電路的輸出電壓；當峰值保持控制線為無效控制電平，保持開關不導通，此時保持電容維持原來的電壓值；所述的保持電容一端連接保持開關，另一端接地。

所述保持開關是由一個PMOS管、一個NMOS管、一個反相器組成，所述PMOS管的漏極連接NMOS管的源極(或漏極)并作為保持開關管的一端，所述PMOS管的源極連接NMOS管的漏極(或源極)并作為保持開關的另一端，所述PMOS管的柵極和NMOS的柵極通過反向器連接，PMOS管或NMOS管的柵極連接保持控制線。

所述保持開關另外一種實現是由一個MOS管組成，所述MOS管的源極和漏極分別作為采樣開關的兩端，柵極連接所述保持控制線。

5.如權利要求1所述峰值采樣保持電路，其特征在于所述的峰值輸出緩沖電路為由第三運算放大器構成的跟隨器組成，所述的第三運算放大器的正端連接峰值保持電路的輸出，第三運算放大器的負端連接第三運算放大器的輸出端，第三運算放大器的輸出端為峰值采樣保持電路的輸出。

6.如權利要求1所述峰值采樣保持電路，其特征在于所述清零電路是由一個NMOS管和清零控制線組成，所述NMOS管的漏端接峰值采樣電路的輸出，NMOS管的源端接地，清零控制線控制NMOS管的柵極，當清零控制線為有效控制電平時，NMOS管對地導通，使得采樣電容的上一周期峰值采樣的電壓進行放電；當清零控制線為無效控制電平時，NMOS管不導通，采樣電容上的電壓維持上一周期的峰值采樣的電壓。

7.開關電源，其特征在于包括變壓器和整流、兩個分壓電阻、濾波電容、峰值采樣保持電路：

所述變壓器為開關電源的主變壓器，在變壓器的副邊產生出與匝數比成比例的電壓；

所述兩個電阻是分壓作用，通過這兩電阻的分壓可以降低輸入到峰值采樣保持電路的電壓，便于芯片對這一電壓進行處理；

所述電容是對通過整流分壓后的電壓進行濾波，電容的一端接地，另一端接分壓出來的節點上，得到電壓進入峰值采樣保持電路進行處理，當濾波電容容值很大時，峰值采樣保持電路的輸入電壓是直流電壓；當濾波電容容值很小時，峰值采樣保持電路的輸入電壓是交流電壓。

所述的峰值采樣保持電路對濾波電壓進行峰值采樣保持。?