1.一種提供離子注入的半導體基材的方法，所述方法包含：

提供其上涂敷有化學增幅型的正性光致抗蝕劑組合物浮雕圖像的半導體基材，

其中光致抗蝕劑包含1)樹脂、2)光敏組分和3)多酮組分；和

施加離子到基材上。

2.權利要求1的方法，其中多酮組分是樹脂。

3.權利要求1或2的方法，其中樹脂1)包含光酸不穩定基團。

4.權利要求1至3任一的方法，其中多酮組分包含至少兩個相鄰但不是環原子的酮基。

5.一種涂覆的基材，所述涂覆的基材包括：

在其上涂敷有化學增幅的正性光致抗蝕劑組合物浮雕圖像的半導體晶片，所述光致抗蝕劑組合物包含1)樹脂、2)光敏組分和3)多酮組分；和

所述晶片具有施加的摻雜離子。

6.權利要求5的基材，其中多酮組分包含至少兩個相鄰但不是環原子的酮基。

7.一種形成光致抗蝕劑浮雕圖像的方法，所述方法包括：

(a)在基材上施加包含1)樹脂、2)光敏組分和3)多酮組分的光致抗蝕劑；和

(b)將光致抗蝕劑涂層曝光于圖案化的活化輻射。

8.權利要求7的方法，其中所述輻射具有193nm的波長。

9.權利要求7或8的方法，其中將光致抗蝕劑組合物施加在無機表面上。

10.權利要求7至9任一的方法，其中多酮組分包含至少兩個相鄰但環原子的酮基。

11.一種光致抗蝕劑組合物，所述組合物包含：

1)樹脂、2)光敏組分和3)多酮組分。

12.權利要求8的光致抗蝕劑組合物，其中多酮組分是樹脂。

13.權利要求8或9的光致抗蝕劑組合物，其中樹脂1)包含光酸不穩定基團。