[發明專利]超低摩擦硅鋁二元摻雜非晶碳薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 201110425150.3 | 申請日： | 2011-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN103160779A | 公開（公告）日： | 2013-06-19 |
| 發明（設計）人： | 郝俊英;劉小強 | 申請（專利權）人： | 中國科學院蘭州化學物理研究所 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/34;C23C16/26;C23C16/50 |
| 代理公司： | 蘭州中科華西專利代理有限公司 62002 | 代理人： | 方曉佳 |
| 地址： | 730000 甘*** | 國省代碼： | 甘肅;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 摩擦 二元 摻雜 非晶碳 薄膜 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種超低摩擦硅鋁二元摻雜非晶碳薄膜的制備方法，其特征在于該方法具體步驟為：
A超聲清洗的單晶硅片，然后置于磁控濺射沉積系統的反應室中，進行抽真空；
B當真空度達到5×10-4Pa時，通氬氣于沉積室中，在占空比為50％-70％，中頻脈沖頻率40KHz直流偏壓-700～-1000V的條件下用氬等離子體進行濺射清洗單晶硅片約10-20min；
C過渡層由純Ar等離子體濺射孿生鈦靶制得，制備條件為中頻脈沖即頻率40KHz電流為1.0-2.0A，氬氣流量為30-60sccm，工作壓強為3.0-5.0Pa時，基材偏壓為-200V，靶材與單晶硅片距離9-10cm，沉積時間為10min；
D將甲烷氣和氬氣以1∶7的比例混合后通入反應室中，工作壓強在0.5-1.2Pa的條件下開啟射頻電源，功率為400-700W，在自偏壓的作用下，產生含有C和Ar的等離子體，上述等離子體共同濺射由鋁、硅組成的混合靶材，面積比為A鋁/A硅＝1/8；
E開啟中頻脈沖頻率40KHz直流偏壓為100-200V，使上述產生的混合等離子體加速到達單晶硅片，并沉積于單品硅片上。
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