1.一種擴展EML?TOSA核心溫度工作范圍的方法，其特征在于，所述方法為：將TOSA核心溫度分成多個區(qū)間，在每個區(qū)間設(shè)置不同的EAM偏置電壓，在TOSA核心溫度較低區(qū)間，EAM偏置電壓低，在TOSA核心溫度較高區(qū)間，EAM偏置電壓高，EAM偏置電壓與TOSA核心溫度成正變關(guān)系。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述TOSA核心溫度范圍為10℃-65℃，核心溫度分成兩個區(qū)間：10℃-Ta℃，Ta℃-65℃，其中10＜Ta＜65；TOSA核心溫度在Ta℃時，EAM偏置電壓設(shè)定為UaV，其中-1.2＜Ua＜-0.7；TOSA核心溫度在10℃-Ta℃時，EAM偏置電壓從-1.2V到UaV線性變化；TOSA核心溫度在Ta℃-65℃時，EAM偏置電壓從UaV到-0.3V線性變化。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述Ta℃為35℃，所述UaV為-0.7V。

4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的方法，其特征在于，所述EAM偏置電壓通過微控制器上的數(shù)模轉(zhuǎn)化輸出端控制。

5.一種擴展EML?TOSA核心溫度工作范圍的方法，其特征在于，包括：

檢測光收發(fā)模塊的當(dāng)前模塊工作溫度；

根據(jù)預(yù)設(shè)的模塊溫度與TOSA核心溫度的對應(yīng)關(guān)系，設(shè)定當(dāng)前模塊工作溫度對應(yīng)的TOSA核心溫度；

根據(jù)設(shè)定的TOSA核心溫度，按預(yù)設(shè)的TOSA核心溫度與EAM偏置電壓的對應(yīng)關(guān)系，對EAM偏置電壓進行補償，以擴展EML?TOSA核心溫度工作范圍。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)的TOSA核心溫度與EAM偏置電壓的對應(yīng)關(guān)系為：

將TOSA核心溫度分成多個區(qū)間，在每個區(qū)間設(shè)置不同的EAM偏置電壓，在TOSA核心溫度較低區(qū)間，EAM偏置電壓低，在TOSA核心溫度較高區(qū)間，EAM偏置電壓高，EAM偏置電壓與TOSA核心溫度成正變關(guān)系。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述TOSA核心溫度范圍為10℃-65℃，核心溫度分成兩個區(qū)間：10℃-Ta℃，Ta℃-65℃，其中10＜Ta＜65；TOSA核心溫度在Ta℃時，EAM偏置電壓設(shè)定為UaV，其中-1.2＜Ua＜-0.7；TOSA核心溫度在10℃-Ta℃時，EAM偏置電壓從-1.2V到UaV線性變化；TOSA核心溫度在Ta℃-65℃時，EAM偏置電壓從UaV到-0.3V線性變化。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述Ta℃為35℃，所述UaV為-0.7V。

9.如權(quán)利要求5至8中任一項所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)的模塊工作溫度與TOSA核心溫度的對應(yīng)關(guān)系為：

模塊工作溫度分成五個區(qū)間：低于-40℃、-40℃-Tb℃、Tb℃-Tc℃和Tc℃-85℃、高于85℃，其中-40＜Tb＜Tc＜85；模塊工作溫度在低于-40℃時，TOSA核心溫度為10℃；模塊工作溫度在-40℃-Tb℃時，TOSA核心溫度從10℃到Td℃線性變化；模塊工作溫度在Tb℃-Tc℃時，TOSA核心溫度從Td℃到Te℃線性變化；模塊工作溫度在Tc℃-85℃時，TOSA核心溫度從Te℃到65℃線性變化；模塊工作溫度在高于-85℃時，TOSA核心溫度為65℃，其中10＜Td≤Te＜65。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述Tb℃為-5℃，所述Tc℃為20℃，所述Td℃與所述Te℃均為35℃。

11.如權(quán)利要求5至8中任一項所述的方法，其特征在于，所述對EAM偏置電壓進行補償，是通過微控制器上的數(shù)模轉(zhuǎn)化輸出端對EAM偏置電壓進行補償?shù)摹?/p>

12.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述設(shè)定當(dāng)前模塊工作溫度對應(yīng)的TOSA核心溫度具體為：微控制器根據(jù)預(yù)設(shè)的模塊溫度與TOSA核心溫度的對應(yīng)關(guān)系，控制半導(dǎo)體制冷制熱裝置TEC的驅(qū)動電路輸出電流來控制TOSA的核心溫度。