1.一種晶體管，其包括在基板上依次設(shè)置的第一柵極電極、第一柵極絕緣體、半導(dǎo)體層、第二柵極絕緣體和第二柵極電極，

其中，所述第一柵極絕緣體和所述第二柵極絕緣體每一者均包括一層或多層含有氧的硅化合物膜，并且所述硅化合物膜的厚度總和為65nm以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中，所述硅化合物膜為氧化硅膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體管，其中，

所述第一柵極絕緣體是由從所述基板側(cè)依次層疊的氮化硅膜和氧化硅膜構(gòu)成的層疊體，并且

所述第二柵極絕緣體是由從所述第一柵極電極側(cè)依次層疊的氧化硅膜、氮化硅膜和氧化硅膜構(gòu)成的層疊體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中，所述半導(dǎo)體層是由多晶硅、微晶硅、非晶硅或氧化物半導(dǎo)體制成的。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體管，其中，所述半導(dǎo)體層是由低溫多晶硅制成的。

6.一種放射線攝像裝置，其包括像素部，所述像素部包括光電轉(zhuǎn)換元件和如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的晶體管。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的放射線攝像裝置，還包括：

波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層，所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層被設(shè)置在所述像素部上，并且用于將放射線的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換成在所述光電轉(zhuǎn)換元件的感光范圍內(nèi)的波長(zhǎng)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的放射線攝像裝置，其中，所述光電轉(zhuǎn)換元件具有吸收放射線并將所述放射線轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的功能。

9.一種放射線攝像顯示系統(tǒng)，其包括攝像裝置和顯示裝置，所述攝像裝置基于放射線來獲取圖像，所述顯示裝置顯示由所述攝像裝置獲取的圖像，

其中，所述攝像裝置是如權(quán)利要求6至8任一項(xiàng)所述的放射線攝像裝置。