技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電路，并且具體地涉及可變電阻器電路。

背景技術(shù)

電壓控制可變電阻器在例如電壓控制增益單元、AGC電路、自動增益控制等許多應(yīng)用的設(shè)計(jì)中是一種非常有用的組件。

現(xiàn)對圖1做出參考，圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的電壓控制可變電阻器電路10的示圖。電路10使用正向偏壓二極管12來實(shí)現(xiàn)。電路10通常可被用于RF應(yīng)用之中作為自動增益控制(AGC)電路。二極管12通常是被配置用作可變電阻器的PIN二極管。等效電阻由經(jīng)過二極管12的電流來控制。公式1表示二級管電壓：

VD=VT·lnIDIS]]>

公式2表示二極管電阻：

rD=∂VD∂ID=VT·ISIS·1IS=VTID]]>

圖1的電路10的一個問題在于，電路10僅可以在小信號條件下(在mV或μV的范圍中)使用。然而，在大信號電壓情況下，r_D的公式不再有效，并且在信號中引起大的失真。

現(xiàn)對圖2做出參考，圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)的電壓控制可變電阻器電路20的示圖。電路20使用工作于三極管區(qū)中的MOS晶體管22來實(shí)現(xiàn)。在三極管區(qū)中，MOS晶體管22的I/V特性看起來像是電壓(V_GS)控制可變電阻器。等效電阻由公式3給出：

REQ=1K·WL(VGS-VTH)]]>

為了確保關(guān)于等效電阻的線性，必須使MOS晶體管22的源極與漏極之間的電壓保持非常小(例如，數(shù)十mV)。圖2的這種電路20因此困擾于與圖1的電路10相同的問題。

現(xiàn)對圖3做出參考，圖3示出了現(xiàn)有技術(shù)的電壓控制可變電阻器電路30的示圖。電路30使用多個串聯(lián)連接的電阻器32來實(shí)現(xiàn)。多個開關(guān)(例如，MOS器件)34被耦合用于選擇性地分流繞過一個或多個電阻器32，以便改變電路30的端到端電阻值。開關(guān)34是數(shù)字控制的。這種類型的可變電阻器電路30適合以大信號電平使用。然而由于數(shù)字控制，電阻變化是不連續(xù)的。

在業(yè)內(nèi)存在針對適合于連續(xù)且線性的電阻變化以及以大尺度信號使用的電壓控制可變電阻器的需求。