1.一種等離子體活化直接鍵合的三維硅模具制備方法，其工藝步驟如下：

分層設計：將待制備微模具進行分層設計，選擇與分層數量相同、對應層厚度相等的硅片作為每層的基底，需要鍵合的硅片表面為拋光面；

直接鍵合：對已刻蝕出圖形的各硅片表面依次進行等離子體活化、預鍵合和低溫退火工藝，完成多層硅片直接鍵合；

劃片：劃片批量得到帶有三維形腔的微模具。

2.根據權利要求1所述的等離子體活化直接鍵合的三維硅模具制備方法，其特征在于，對于帶圖形的微模具，在分層設計與直接鍵合步驟之間進行深硅刻蝕：

將各層硅片采用光刻及ICP深硅刻蝕的方法，刻蝕出待制備零件相應各層的結構圖形，然后再進行濕法清洗。

3.根據權利要求1或2所述的等離子體活化直接鍵合的三維硅模具制備方法，其特征在于，直接鍵合的具體步驟為：

（3.1）一次等離子體活化所有硅片的一個拋光表面，二次等離子體活化雙拋硅片的另一面；表面活化氣氛為氧氣，流量50sccm～150sccm、射頻功率50～150W、活化時間5～20s；?

（3.2）對完成等離子體活化后的各硅片用去離子水沖洗，旋轉甩干加烘干，按照從上往下的順序對準貼合所有硅片；

（3.3）對貼合完成的多層硅片進行退火，退火溫度160～300℃，退火時間3?h～72h，完成硅片的多層鍵合。

4.根據權利要求2所述的等離子體活化直接鍵合的三維硅模具制備方法，其特征在于，濕法清洗的具體過程為：

對各硅片表面依次進行丙酮超聲清洗、去離子水沖洗、甩干表面水顆粒，?然后在80℃～120℃烘烤3min～10min。