[發(fā)明專利]切槽爆破與光面爆破聯(lián)合控制爆破法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110402398.8 | 申請日: | 2011-12-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102445117A | 公開(公告)日: | 2012-05-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 言志信 | 申請(專利權(quán))人: | 蘭州大學(xué) |
| 主分類號(hào): | F42D3/04 | 分類號(hào): | F42D3/04;F42D1/00;F42D1/08 |
| 代理公司: | 蘭州中科華西專利代理有限公司 62002 | 代理人: | 李艷華 |
| 地址: | 730000 *** | 國省代碼: | 甘肅;62 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 爆破 光面 聯(lián)合 控制 | ||
1.切槽爆破與光面爆破聯(lián)合控制爆破法,包括以下步驟:
(1)根據(jù)微差爆破設(shè)計(jì)要求對爆破開挖區(qū)劃定周邊輪廓線,并在主體爆破開挖區(qū)(4)內(nèi)布置微差爆破孔;
(2)沿所述爆破開挖區(qū)周邊輪廓線布置光面爆破孔(7);
(3)在所述爆破開挖區(qū)周邊輪廓線之內(nèi)預(yù)留光面層(5)靠所述主體爆破開挖區(qū)(4)的一側(cè)布置切槽爆破孔(1);所述預(yù)留光面層(5)的厚度為:所述爆破開挖區(qū)周邊將要形成的保留巖體壁面(6)與切槽爆破孔軸線構(gòu)成的平面(3)之間的距離,即光面爆破的最小抵抗線;
(4)利用切槽機(jī)械對所述切槽爆破孔(1)直徑的兩端切出V形槽(2),該V形槽(2)所在的直徑處在所述切槽爆破孔軸線構(gòu)成的平面(3)內(nèi);所述切槽爆破孔軸線構(gòu)成的平面(3)與所述保留巖體壁面(6)平行;
(5)根據(jù)巖體的類型對所述切槽爆破孔(1)按不耦合系數(shù)1.5~2.5進(jìn)行爆破裝藥,并布設(shè)低段雷管;其中所述巖體屬于軟巖時(shí)線裝藥密度為70~120g/m,所述巖體屬于中硬巖時(shí)線裝藥密度為120~300g/m,所述巖體屬于硬巖時(shí)線裝藥密度為300g/m~350g/m;
(6)根據(jù)微差爆破設(shè)計(jì)要求對所述主體爆破開挖區(qū)(4)內(nèi)的微差爆破孔進(jìn)行爆破裝藥,并比所述切槽爆破孔(1)高二段開始隔段布設(shè)微差爆破雷管;
(7)對所述光面爆破孔(7)按與所述切槽爆破孔(1)相同的裝藥不耦合系數(shù)、線裝藥密度、裝藥品種進(jìn)行爆破裝藥,并比所述主體爆破開挖區(qū)(4)最高段高二段布設(shè)所述爆破雷管;
(8)對所述主體爆破開挖區(qū)(4)內(nèi)的微差爆破孔、所述切槽爆破孔(1)和所述光面爆破孔(7)進(jìn)行堵塞;
(9)連接起爆網(wǎng)路,實(shí)施一次起爆,進(jìn)行微差爆破,即所述切槽爆破孔(1)低段雷管起爆,接著所述主體爆破開挖區(qū)(4)內(nèi)的微差爆破孔隔段布設(shè)的雷管起爆,最后所述光面爆破孔(7)起爆;
(10)出渣;
(11)重復(fù)上述步驟(1)~(10),直至開挖完畢。
2.如權(quán)利要求1所述的切槽爆破與光面爆破聯(lián)合控制爆破法,其特征在于:所述步驟(2)中光面爆破孔(7)的直徑為38~42mm,且所述光面爆破孔(7)的孔間距為所述預(yù)留光面層(5)厚度的0.6~0.9倍。
3.如權(quán)利要求1所述的切槽爆破與光面爆破聯(lián)合控制爆破法,其特征在于:所述步驟(2)中預(yù)留光面層(5)厚度為10~20倍的所述光面爆破孔(7)直徑。
4.如權(quán)利要求1所述的切槽爆破與光面爆破聯(lián)合控制爆破法,其特征在于:所述步驟(3)中切槽爆破孔(1)的直徑與所述光面爆破孔(7)的直徑相同,且所述切槽爆破孔(1)的孔間距為所述切槽爆破孔(1)直徑的10~25倍。
5.如權(quán)利要求1所述的切槽爆破與光面爆破聯(lián)合控制爆破法,其特征在于:所述步驟(4)中V形槽(2)的切槽角為55~65°,切槽深度為4~6mm。
6.如權(quán)利要求1所述的切槽爆破與光面爆破聯(lián)合控制爆破法,其特征在于:用下述方法代替權(quán)利要求1中所述步驟(5):首先給所述切槽爆破孔(1)兩端的V形槽(2)分別裝上線型槽(8),使所述線型槽(8)的張口方向與所述V形槽(2)的開口方向一致,且所述線型槽(8)的張口角度與所述V形槽(2)的張口角度相同,并貼于所述V形槽(2)的壁面;然后根據(jù)巖體的類型對所述切槽爆破孔(1)按不耦合系數(shù)1.5~2.5進(jìn)行爆破裝藥,并布設(shè)低段雷管;其中所述巖體屬于軟巖時(shí)線裝藥密度為70~120g/m,所述巖體屬于中硬巖時(shí)線裝藥密度為120~300g/m,所述巖體屬于硬巖時(shí)線裝藥密度為300g/m~350g/m。
7.如權(quán)利要求6所述的切槽爆破與光面爆破聯(lián)合控制爆破法,其特征在于:所述線型槽(8)的橫截面呈V形;沿所述線型槽(8)的縱向且在V形的尖頂開設(shè)切縫(9),該切縫(9)對準(zhǔn)所述V形槽(2)的尖頂。
8.如權(quán)利要求6所述的切槽爆破與光面爆破聯(lián)合控制爆破法,其特征在于:所述線型槽(8)由金屬、塑料或PVC材料制成,其壁厚為0.5~2mm。
9.如權(quán)利要求6所述的切槽爆破與光面爆破聯(lián)合控制爆破法,其特征在于:所述切縫(9)的寬度為5~10mm,其底端與所述線型槽(8)的底端(10)的距離為2~4cm,其頂端與所述線型槽(8)的頂端(11)的距離為10~35cm。
10.如權(quán)利要求1所述的切槽爆破與光面爆破聯(lián)合控制爆破法,其特征在于:用下述方法代替權(quán)利要求1中步驟(9):連接起爆網(wǎng)路,先起爆所述切槽爆破孔(1),接著起爆所述主體爆破開挖區(qū)(4)內(nèi)的微差爆破孔,最后起爆所述光面爆破孔(7)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于蘭州大學(xué),未經(jīng)蘭州大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.17sss.com.cn/pat/books/201110402398.8/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 中繼網(wǎng)絡(luò)中的聯(lián)合方法、系統(tǒng)、中繼站及移動(dòng)臺(tái)
- 中繼網(wǎng)絡(luò)中的聯(lián)合方法、系統(tǒng)、中繼站及移動(dòng)臺(tái)
- 便攜信息終端、以及便攜信息終端的控制方法
- 電法與地震同步聯(lián)合反演方法及系統(tǒng)
- 銀行聯(lián)合放款的放款方法、裝置及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種基于自主學(xué)習(xí)群搜索算法的聯(lián)合調(diào)度方法及系統(tǒng)
- 一種基于多目標(biāo)種群群搜索算法的聯(lián)合調(diào)度方法及系統(tǒng)
- 聯(lián)合貸款中的罰息與利息結(jié)算方法、裝置、介質(zhì)和設(shè)備
- 一種基坑支護(hù)用H型鋼構(gòu)件
- 用于云環(huán)境的語義元聯(lián)合代理





