1.一種SDRAM測(cè)試方法，其特征在于，包括：

以SDRAM的工作時(shí)鐘作為測(cè)試時(shí)鐘，SDRAM的讀寫接口為測(cè)試接口，依次向SDRAM所有存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)，將讀取數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)判斷，以診斷SDRAM的所有存儲(chǔ)單元。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

以SDRAM的工作時(shí)鐘作為測(cè)試時(shí)鐘，以SDRAM的讀寫接口為測(cè)試接口，向SDRAM的同一地址寫入讀出數(shù)據(jù)，將讀取數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)判斷，以診斷SDRAM的數(shù)據(jù)線。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，還包括：

以SDRAM的工作時(shí)鐘作為測(cè)試時(shí)鐘，SDRAM的讀寫接口為測(cè)試接口，遍歷SDRAM的地址，依次寫入與地址相同的數(shù)據(jù)直到最高地址，然后將讀取數(shù)據(jù)與對(duì)應(yīng)寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)判斷，以診斷SDRAM的地址線。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，首先測(cè)試SDRAM的地址線，然后測(cè)試SDRAM的數(shù)據(jù)線，最后測(cè)試SDRAM的所有存儲(chǔ)單元。

5.根據(jù)權(quán)利要4所述的方法，其特征在于，寫入讀取數(shù)據(jù)包括：

對(duì)存儲(chǔ)單元的每一位寫入0，并讀出；

對(duì)存儲(chǔ)單元的每一位寫入1，并讀出；

對(duì)存儲(chǔ)單元的各位寄存器從最低位開始交錯(cuò)地寫入0和1，并讀出；

對(duì)存儲(chǔ)單元的各位寄存器從最低位開始交錯(cuò)地寫入00和11，并讀出。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在診斷SDRAM的所有存儲(chǔ)單元時(shí)，如果存儲(chǔ)單元的一位寄存器讀出結(jié)果始終為0，則該寄存器斷路，如果存儲(chǔ)單元的一位寄存器讀出結(jié)果始終為1，則該寄存器短路，如果存儲(chǔ)單元的兩位寄存器的讀出結(jié)果均為對(duì)方的寫入結(jié)果，則這兩位寄存器互連。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在診斷SDRAM的地址線時(shí)，如果存儲(chǔ)單元的一位寄存器讀出結(jié)果始終為0，則地址線中對(duì)應(yīng)該寄存器的線斷路，如果存儲(chǔ)單元的一位寄存器讀出結(jié)果始終為1，則地址線中對(duì)應(yīng)該寄存器的線短路，如果存儲(chǔ)單元的兩位寄存器的讀出結(jié)果均為對(duì)方的寫入結(jié)果，則地址線中對(duì)應(yīng)這兩位寄存器的線互連。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在診斷SDRAM的數(shù)據(jù)線時(shí)，如果存儲(chǔ)單元的一位寄存器讀出結(jié)果始終為0，則數(shù)據(jù)線中對(duì)應(yīng)該寄存器的線斷路，如果存儲(chǔ)單元的一位寄存器讀出結(jié)果始終為1，則數(shù)據(jù)線中對(duì)應(yīng)該寄存器的線短路，如果存儲(chǔ)單元的兩位寄存器的讀出結(jié)果均為對(duì)方的寫入結(jié)果，則數(shù)據(jù)線中對(duì)應(yīng)這兩位寄存器的線互連。