[發(fā)明專利]外延晶片無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110393534.1 | 申請(qǐng)日： | 2008-10-06 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102437265A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-05-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 中西文毅;三浦祥紀(jì) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 住友電氣工業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/32 | 分類號(hào)： | H01L33/32;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人： | 韓峰;孫志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 外延 晶片 | ||
【權(quán)利要求書(shū)】：
1.一種外延晶片(20，30)，該外延晶片(20，30)包括GaN襯底(10，31)，形成在所述GaN襯底(10，31)的c面上的AlxGa(1-x)N層(21，34)和形成在所述AlxGa(1-x)N層(21，34)上的GaN層(22，35)，其中：
所述GaN襯底(10，31)的厚度小于250μm，以及
所述外延晶片(20，30)的翹曲不大于100μm。
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