[發明專利]干法刻蝕第一金屬層的方法無效
| 申請號： | 201110388943.2 | 申請日： | 2011-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN102403269A | 公開（公告）日： | 2012-04-04 |
| 發明（設計）人： | 張瑜;黃君;李程 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 刻蝕 第一 金屬 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種干法刻蝕第一金屬層的方法，該方法包括：
提供一半導體基底；
在半導體基底上依次沉積刻蝕阻擋層、介電層、介電保護層，金屬硬掩膜層、底部抗反射層和光刻膠層；
對光刻膠層進行圖案化處理，形成圖案化的光刻膠層；
以圖案化的光刻膠層為掩膜，對底部抗反射層和金屬硬掩膜層進行刻蝕，形成進行主刻蝕的刻蝕窗口；
對所述刻蝕窗口內的介電保護層和介電層進行干法刻蝕，所述干法刻蝕采用C5F8、Ar和O2作為刻蝕氣體，所述C5F8、Ar和O2的流量比為2.2∶50∶1～3∶50∶1，以使刻蝕停止在刻蝕阻擋層；
對刻蝕阻擋層進行過刻蝕工藝，去除刻蝕阻擋層，形成第一層銅金屬層溝槽。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述C5F8的流量為15sccm～21sccm。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述Ar的流量為300sccm～350sccm。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述O2的流量為5sccm～7sccm。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對介電保護層和介電層進行干法刻蝕的時間為90～95s。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對介電保護層和介電層的干法刻蝕在刻蝕反應腔內進行，所述刻蝕反應腔內的壓力為90mt～100mt。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
