技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及高功率射頻放大器，具體但不排他地涉及多赫蒂(Doherty)放大器電路。?

背景技術(shù)

多赫蒂型放大器由于其在處理多載波無線通信系統(tǒng)中常用的可變功率水平時(shí)具有更高的效率，被廣泛用于無線通信中的功率放大器。多赫蒂放大器包括主放大器和峰值放大器，主放大器處理直到某一轉(zhuǎn)變點(diǎn)的功率水平，在功率水平處于轉(zhuǎn)變點(diǎn)之上且直至多赫蒂放大器飽和點(diǎn)時(shí)，峰值放大器將其功率加到加載上。主放大器和峰值放大器典型地按不同類運(yùn)行，且相比于類似設(shè)定的單級(jí)AB類放大器或A類放大器，它們能夠一起傳遞經(jīng)改善的補(bǔ)償(back-off)功率水平效率。?

WO?2008/062371更詳細(xì)地描述了多赫蒂放大器的原理，并披露這樣的實(shí)施例，其中并聯(lián)配置多路放大器以允許在高功率下具有更寬的射頻帶，從而減少調(diào)諧問題。?

高功率射頻放大器，例如多赫蒂放大器以及單端AB類放大器，易于表現(xiàn)出電記憶效應(yīng)，這種效應(yīng)在1GHz及以上頻率的高功率射頻放大器中尤其存在問題。這些記憶效應(yīng)起因于電源和放大器的功率器件之間存在的寄生電感，以及起因于放大器電流消耗(跟隨輸入信號(hào)調(diào)制的包絡(luò))的強(qiáng)度和變化速度。這種寄生電感可能作為電源網(wǎng)絡(luò)的一部分存在。在更高調(diào)制頻率下，由于這種記憶效應(yīng)，會(huì)趨向于出現(xiàn)更大的失真。由于峰值放大器運(yùn)行在C類模式中，多赫蒂放大器易于表現(xiàn)出更高的記憶效應(yīng)。?

A.Khanifar等人發(fā)表的″Bias?Circuit?Topologies?for?Minimizationof?RF?Amplifier?Memory?Effects″，33?European?Microwave?Conference，Munich?2003，pp?1349-1352中披露了一種用于處理射頻放大器中記憶效?+應(yīng)的電路技術(shù)，該技術(shù)中，在偏置網(wǎng)絡(luò)傳遞函數(shù)中設(shè)置傳輸零點(diǎn)，通過利用去耦電容器的串聯(lián)諧振屬性形成器件輸出的傳輸零點(diǎn)。?

單端AB類放大器和多赫蒂放大器的工作頻帶尤其受限于匹配網(wǎng)絡(luò)，匹配網(wǎng)絡(luò)可能要求50和100之間的阻抗變換系數(shù)。O.Pitzalis和R.Gilson在″Broad-Band?Microwave?Class-C?Transistor?Amplifiers″，IEEETransactions?on?Microwave?Theory?and?Techniques，Vol.MTT-21，No.11，November?1973中披露了用于寬帶輸入和輸出匹配結(jié)構(gòu)的大信號(hào)晶體管表征和設(shè)計(jì)的技術(shù)。工作在GHz范圍的傳統(tǒng)多赫蒂放大器中的高功率(100到300W)分立功率器件典型的需要高阻抗變換系數(shù)，這往往限制了放大器的帶寬。此外，根據(jù)Bode-Fano理論：?

∫ω1ω2ln(1Γ)dω=1RC=1RLCds---(1)]]>

其中，ω₁，ω₂是頻率的下限和上限，Γ是反射系數(shù)，R_L、C_ds是功率器件的最佳負(fù)載電阻和寄生輸出電容(例如，漏極到源極電容)。例如，如US7078976中所述，如果工作頻率下的C_ds阻抗與R_L相當(dāng)，則其可以用作集總元件多赫蒂組合器的一部分，這使得Cds的負(fù)面效應(yīng)得以最小化。?