1.一種生產碲化鎘或碲鋅鎘單晶體的方法，其包括：

形成一個包括晶體生長區域和原位退火區域的整體溫度場；

將一個裝有富碲材料和碲化鎘或碲鋅鎘多晶材料的坩堝從所述晶體生長區域中通過，在該過程中，坩堝內的富碲材料熔化形成熔區，碲化鎘或碲鋅鎘多晶材料逐漸溶解到所述熔區中，然后冷卻析出碲化鎘或碲鋅鎘單晶體；以及

將所述坩堝從所述原位退火區域中通過，在該過程中對所述晶體生長區域中生成的碲化鎘或碲鋅鎘單晶體進行退火，以降低所述單晶體中的碲夾雜含量。

2.如權利要求1所述的方法，其中，在所述坩堝通過的方向上，所述晶體生長區域和原位退火區域之間的距離為3厘米到20厘米。

3.如權利要求2所述的方法，其中，在所述坩堝通過的方向上，所述晶體生長區域和原位退火區域之間的距離為5厘米到10厘米。

4.如權利要求1所述的方法，進一步包括通過驅動裝置驅動所述坩堝，使其在從所述晶體生長區域和原位退火區域通過的同時還沿其軸線旋轉。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述坩堝連接于一個驅動裝置，通過所述驅動裝置移動坩堝來實現將坩堝從所述整體溫度場中通過。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述整體溫度場連接于一個驅動裝置，通過所述驅動裝置移動整體溫度場來實現將坩堝從所述整體溫度場中通過。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述富碲材料和碲化鎘或碲鋅鎘多晶材料包括碲化鎘或碲鋅鎘籽晶、富碲材料和碲化鎘或碲鋅鎘多晶材料。

8.如權利要求1所述的方法，在所述坩堝通過的方向上，所述晶體生長區域的溫度逐漸上升到第一溫度峰值后逐漸下降，所述原位退火區域的溫度逐漸上升到第二溫度峰值后逐漸下降，其中所述第一溫度峰值高于碲的熔點低于碲化鎘或碲鋅鎘的熔點，所述第二溫度峰值高于所述第一溫度峰值低于碲化鎘或碲鋅鎘的熔點。

9.如權利要求8所述的方法，其中所述晶體生長區域的溫度是以10℃/厘米到100℃/厘米的速度逐漸上升或下降的。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述晶體生長區域的溫度是以20℃/厘米到60℃/厘米的速度逐漸上升或下降的。

11.如權利要求8所述的方法，其中所述原位退火區域的溫度是以5℃/厘米到100℃/厘米的速度逐漸上升或下降的。

12.如權利要求11所述的方法，其中所述原位退火區域的溫度是以20℃/厘米到60℃/厘米的速度逐漸上升或下降的。

13.如權利要求8所述的方法，所述坩堝內裝有碲化鎘籽晶、富碲材料和碲化鎘多晶材料，所述第一溫度峰值在600℃到1092℃之間，所述第二溫度峰值在700℃到1092℃之間。

14.如權利要求13所述的方法，所述第一溫度峰值在600℃到900℃之間，所述第二溫度峰值在850℃到1092℃之間。