1.一種基于SiN埋絕緣層的晶圓級單軸應變SOI的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：1)SOI晶圓頂層Si層面向上或向下放置在弧形彎曲臺上；2)兩根圓柱形不銹鋼壓桿分別水平放置在SOI晶圓兩端，距SOI晶圓邊緣1cm；3)緩慢旋動連接壓桿的螺帽，使SOI晶圓沿弧形臺面逐漸彎曲，直至SOI晶圓完全與弧形臺面貼合；4)載有SOI晶圓的弧形彎曲臺放置在退火爐中進行退火，退火溫度在25O℃至1250℃范圍內可任意選擇；5)退火結束后緩慢降溫至室溫，取出載有SOI晶圓的弧形彎曲臺；6)旋動連接壓桿的螺帽，將壓桿緩慢提升，直至彎曲的SOI晶圓回復原狀。

2.根據權利要求1所述的的制作方法，其特征在于，所述的彎曲臺的曲率半徑可從1.2m到0.4m連續變化，其對應制作不同應變量的單軸應變SOI晶圓；彎曲臺材料采用金屬鉬材料。

3.根據權利要求1所述的的制作方法，其特征在于，所述步驟4)的退火工藝為：在250℃下退火10小時；或者在800℃下退火3小時；或者在1250℃下退火2小時。

4.根據權利要求1所述的的制作方法，其特征在于，所述SOI晶圓為3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸、16英寸的SOI晶圓。