技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種鍍厚銅工藝，尤其涉及一種密集孔局部鍍厚銅工藝。

背景技術(shù)

隨著高集成元器件技術(shù)的快速發(fā)展，各類元器件設(shè)計趨向密集化，相應地對散熱提出了更高的要求，傳統(tǒng)的孔壁銅厚已不能滿足此類設(shè)計需求；為滿足散熱需求，相應地對局部散熱孔位置要求為局部厚銅設(shè)計(密集孔厚銅更有利于散熱)，以便滿足重要元器件電性能及散熱所需。而采用傳統(tǒng)PCB制作工藝是無法實現(xiàn)局部鍍厚銅需求，因此，需要開發(fā)一種此類PCB的加工方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種密集孔局部鍍厚銅工藝，采用二次鉆孔+二次沉銅工藝，且采用局部鍍厚銅以達到更好的散熱效果，滿足了未來高端電子產(chǎn)品對局部區(qū)域要求散熱性能較高的需求。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種密集孔局部鍍厚銅工藝，包括如下步驟：

步驟1、提供基板，對基板進行開料、內(nèi)層圖形制作、棕化、層壓處理及X-RAY打孔；

步驟2、在基板上鉆鍍厚銅區(qū)域孔；

步驟3、鍍厚銅，其中鍍厚銅區(qū)域孔的孔壁銅厚鍍至75μm以上；

步驟4、貼干膜蓋住鍍厚銅區(qū)域孔，對基板的面銅進行減銅處理；

步驟5、在基板上鉆非鍍厚銅區(qū)域孔；

步驟6、對非鍍厚銅區(qū)域孔及鍍厚銅區(qū)域孔進行鍍銅。

還包括步驟2.1、烘板處理，烘板條件為150-180℃烘烤5h；

步驟2.2、對鍍厚銅區(qū)域孔進行毛刺去除處理。

還包括步驟4.1、去除干膜、磨板及X-RAY打孔。

進一步包括步驟7、對步驟6鍍銅后的基板進行圖形電鍍、外層蝕刻、阻焊、沉金、銑板、電測及終檢處理，獲得成品。

步驟3中以15-20ASF的電流密度電鍍96min，然后將基板掉頭，再以15-20ASF的電流密度電鍍96min。

步驟6中以15-20ASF的電流密度電鍍48min，然后將基板掉頭，再以15-20ASF的電流密度電鍍48min。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明的密集孔局部鍍厚銅工藝，采用二次鉆孔+二次沉銅工藝，改變了傳統(tǒng)PCB制作中的一次鉆孔+沉銅工藝，通過在電子產(chǎn)品高散熱電子元器件貼裝的PCB位置設(shè)計局部鍍厚銅，將元器件工作時產(chǎn)生的高熱量，利用銅良好的導熱系數(shù)，將熱量有效傳導散發(fā)出去，可保證了電子元器件具有更好的工作狀態(tài)，同時延長了電子元器件使用壽命，確保了電子電器穩(wěn)定運行，滿足了未來高端電子產(chǎn)品對局部區(qū)域要求散熱性能較高的需求。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對發(fā)明的具體實施方式詳細描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為本發(fā)明的密集孔局部鍍厚銅工藝的流程圖；

圖2為采用本發(fā)明工藝制作的PCB成品與元器件工作過程中的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

如圖1所示，為本發(fā)明的密集孔局部鍍厚銅工藝的流程圖，該工藝包括如下步驟：

步驟1、提供基板，對基板進行開料、內(nèi)層圖形制作、棕化、層壓處理及X射線(X-RAY)打孔(打第一套定位標靶)；該步驟可通過現(xiàn)有技術(shù)實現(xiàn)。

步驟2、在基板上鉆鍍厚銅區(qū)域孔。

步驟2.1、烘板處理，烘板條件為150-180℃烘烤5小時(h)。

步驟2.2、對鍍厚銅區(qū)域孔進行毛刺去除處理，如去除鉆孔披鋒等。

步驟3、鍍厚銅，脈沖參數(shù)：15-20ASF×(96min+96min)，即以15-20安培/平方英尺(ASF)的電流密度電鍍96分鐘(min)，然后將基板掉頭，再以15-20ASF的電流密度電鍍96min，其中鍍厚銅區(qū)域孔的孔壁銅厚鍍至75μm以上，這樣可更好的滿足散熱需求。

步驟4、貼干膜蓋住鍍厚銅區(qū)域孔，對基板的面銅進行減銅處理，獲得正常所需的面銅厚度。

步驟4.1、去除干膜、磨板及X-RAY打孔(打第二套定位標靶)。磨板可采用砂帶研磨機，對孔位外側(cè)存在的凸鍍等現(xiàn)象進行打磨至與板面平齊。

步驟5、在基板上鉆非鍍厚銅區(qū)域孔；

步驟6、對非鍍厚銅區(qū)域孔及鍍厚銅區(qū)域孔進行鍍銅，鍍銅參數(shù)：15-20ASF×(48min+48min)，即以15-20ASF的電流密度電鍍48min，然后將基板掉頭，再以15-20ASF的電流密度電鍍48min。