[發明專利]穩定的、可濃縮的化學機械拋光組合物和拋光基材的方法無效
| 申請號： | 201110354333.0 | 申請日： | 2011-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN102559062A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發明（設計）人： | 劉振東;郭毅;K-A·K·雷迪;張廣云 | 申請（專利權）人： | 羅門哈斯電子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分類號： | C09G1/02 | 分類號： | C09G1/02;H01L21/311;B24B37/24 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 陳哲鋒 |
| 地址： | 美國特*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 穩定 濃縮 化學 機械拋光 組合 拋光 基材 方法 | ||
1.一種化學機械拋光組合物，所述組合物包括作為原始組分的下述組分：
水；
研磨劑；
如式(I)的雙季化物質：
其中每個X獨立地選自N和P；其中R1選自飽和的或者未飽和的C1-C15烷基、C6-C15芳基和C6-C15芳烷基；其中R2、R3、R4、R5、R6和R7各自獨立地選自氫、飽和的或者未飽和的C1-C15烷基、C6-C15芳基、C6-C15芳烷基和C6-C15烷芳基；和其中式(I)的陰離子可以是平衡式(I)的陽離子上的2+電荷的任何陰離子或者陰離子的組合；
如式(II)的胍的衍生物：
其中R8選自氫、飽和的或者未飽和的C1-C15烷基、C6-C15芳基、C6-C15芳烷基和C6-C15烷芳基；其中R9、R10、R11和R12各自獨立地選自氫、飽和的或者未飽和的C1-C15烷基、C6-C15芳基、C6-C15芳烷基和C6-C15烷芳基；和，
任選地，季銨鹽。
2.如權利要求1所述的化學機械拋光組合物，其中所述化學機械拋光組合物包括作為原始組分的下述組分：
水；
0.1-40wt％的研磨劑；
0.001-1wt％的如式(I)的雙季化物質；
0.001-1wt％的如式(II)的胍衍生物；和
0-1wt％的任選的季銨鹽。
3.如權利要求1所述的化學機械拋光組合物，其中每個X是N；R1是-(CH2)4-；和其中R2、R3、R4、R5、R6和R7各自是-(CH2)3CH3。
4.如權利要求3所述的化學機械拋光組合物，其中R8是氫；和其中R9、R10、R11和R12各自是-CH3。
5.如權利要求4所述的化學機械拋光組合物，所述組合物包括：
水；
0.1-40wt％的研磨劑；
0.001-1wt％的如式(I)的雙季化物質；
0.001-1wt％的如式(II)的胍衍生物；和
0.005-1wt％任選的季銨鹽。
6.一種化學機械拋光基材的方法，所述方法包括：
提供一種基材，其中所述基材包括二氧化硅；
提供一種如權利要求1所述的化學機械拋光組合物；
提供一個化學機械拋光墊；
在化學機械拋光墊和基材之間的界面建立動態接觸，下壓力為0.69-34.5kPa；和
把所述化學機械拋光組合物分配至在化學機械拋光墊和基材之間的界面處或者鄰近處的化學機械拋光墊上；
其中化學機械拋光組合物的pH為2-6。
7.如權利要求6所述的方法，其中提供的化學機械拋光組合物是濃縮形式的，并且該方法進一步包括：
用水稀釋所述化學機械拋光組合物。
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