[發明專利]非線性光學材料ZnTeMoO6及其晶體的生長方法無效
| 申請號： | 201110344157.2 | 申請日： | 2011-11-04 |
| 公開（公告）號： | CN102534793A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 羅軍華;金成國;孫志華;陳天亮;洪茂椿 | 申請（專利權）人： | 中國科學院福建物質結構研究所 |
| 主分類號： | C30B29/32 | 分類號： | C30B29/32;C30B9/12 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 350002 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 非線性 光學材料 zntemoo sub 及其 晶體 生長 方法 | ||
【權利要求書】：
1.非線性光學材料ZnTeMoO6，其特征在于：其粉末倍頻效應為2×KTP，其晶體透過范圍為：0.4μm-22.2μm，具備相位匹配能力。
2.根據權利要求1所述的非線性光學材料ZnTeMoO6晶體，其特征在于：晶體呈薄片狀，尺寸最大為5mm×4mm×1mm。
3.根據權利要求1所述的非線性光學材料ZnTeMoO6的多晶粉體的制備方法，其特征在于：以ZnO、TeO2和MoO3為原料，采用固相反應合成。
4.根據權利要求1所述的非線性光學材料ZnTeMoO6的晶體的生長方法，其特征在于：生長原料為ZnTeMoO6粉體、TeO2和MoO3，或ZnO、TeO2和MoO3，以TeO2和MoO3作為助溶劑，采用自發成核生長。
5.根據權利要求4所述的生長方法，其特征在于，所述生長條件為：熔體均化恒溫時間為25h，晶體的生長階段降溫速率為2-10℃/h，晶體退火速率為20-30℃/h。
6.根據權利要求4或5所述的生長方法，其特征在于：生長原料中ZnTeMoO6粉體、TeO2和MoO3，或ZnO、TeO2和MoO3的摩爾比分別為1∶3∶3或1∶4∶4。
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