1.一種用于形成自對準通孔的T形金屬硬掩膜的制造方法，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有絕緣層；

在所述絕緣層上依次沉積第一金屬硬掩膜層和第二金屬硬掩膜層，所述第一金屬硬掩膜層的被蝕刻率大于所述第二金屬硬掩膜層的被蝕刻率；

蝕刻所述第二金屬硬掩膜層和所述第一金屬硬掩膜層，以形成所述T形金屬硬掩膜。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述絕緣層為具有低介電常數的材料層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金屬硬掩膜層的材料為Al，所述第二金屬硬掩膜層的材料為TiN。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金屬硬掩膜層的材料為摻雜的TiN，所述第二金屬硬掩膜層的材料為TiN。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，采用離子注入工藝實施所述摻雜。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述摻雜的元素為碳或銅。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二金屬硬掩膜層的厚度為所述T形金屬硬掩膜層的厚度的三分之一至二分之一。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二金屬硬掩膜層與所述第一金屬硬掩膜層的厚度總和為100-500埃。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述蝕刻為干法蝕刻。

10.一種用于形成自對準通孔的T形金屬硬掩膜的制造方法，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有絕緣層；

在所述絕緣層上形成一犧牲層；

在所述犧牲層中形成至少兩個T形溝槽；

沉積一金屬硬掩膜層，以填充所述T型溝槽；

研磨所述金屬硬掩膜層，直至露出所述犧牲層；

去除所述犧牲層，以形成所述T形金屬硬掩膜。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述絕緣層為具有低介電常數的材料層。

12.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述T型溝槽頂部的凹槽的深度為整個T型溝槽深度的三分之一至二分之一。

13.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述T型溝槽的深度為100-500埃。

14.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述金屬硬掩膜層的材料為TiN。

15.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述金屬硬掩膜層的材料為BN。

16.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為氮化硅。

17.一種用于形成自對準通孔的T形金屬硬掩膜，其特征在于，所述T形金屬硬掩膜由權利要求1-16之一所述的方法形成。