本申請文件是2008年12月5日提交的第200810184859.7號發明專利申 請的分案申請。

技術領域

本發明關于一種半導體光電元件，尤其關于一種半導體光電元件的電極 結構。

背景技術

傳統發光二極管存在著電流密度分布不均的現象，稱的為電流擁塞 (Current?Crowding)。電流擁塞常常會造成元件局部熱累積，同時使得發光 效率減低，情況嚴重者甚至還可能造成元件損壞。

發光二極管的電極結構設計(layout)主要是為了解決電流擁塞現象，增 加電流注入半導體層的均勻性。主要考慮的結構參數包括p型電極與n型電 極的間的距離以及打線墊(pad)與延伸線路(finger)的擺設位置。然而，隨 著發光二極管的操作功率的增高，造成芯片尺寸的加大，使得在延伸線路末 端的電流傳遞明顯受到電阻累積的影響而常發生注入不均勻的結果。

目前有些設計將p型與n型電極做在芯片的上下兩端，即所謂的垂直型 芯片。但此法須要將外延基板去除使原本連接基板的第一電性層暴露出，以 于此表面形成第一電極。另須在原本外延結構表面的第二電性層之上形成反 射層、第二電極、與永久基板，工藝頗為繁復致使良率不易維持與工藝成本 偏高。

發明內容

一種半導體光電元件，包含：基板；半導體系統，包含有源層形成于基 板之上；及電極結構，形成于半導體系統之上，此電極結構包含：第一電性 接觸區或第一電性打線墊，第二電性打線墊，第一電性延伸線路，及第二電 性延伸線路，其中第一電性延伸線路與第二電性延伸線路以立體跨接方式交 錯，且部分第一電性延伸線路與第一電性接觸區或第一型打線墊位在有源層 的相異兩側。

本發明乃利用立體交錯的方法，使得發光二極管結構中兩種不同電性的 電極結構(包含打線墊與延伸線路)更有設計上的彈性空間，并且兼顧工藝穩 定性高與成本低的好處。

附圖說明

圖式簡單說明如下：

圖1是依本發明設計第一實施例的一種半導體光電元件其電極結構的俯 視圖；

圖2A是本發明第一實施例的半導體光電元件電極結構于p型延伸線路 與n型延伸線路交會跨接處A-A’的剖面圖；

圖2B是本發明第一實施例的半導體光電元件電極結構于n型接觸區 B-B’的剖面圖；

圖3是依本發明設計第二實施例的一種半導體光電元件其電極結構的俯 視圖；

圖4是依本發明設計第三實施例的一種半導體光電元件其電極結構的俯 視圖；

圖5是依本發明設計第四實施例的一種半導體光電元件其電極結構的俯 視圖；

圖6是本發明設計第五實施例的一種半導體光電元件其電極結構的俯視 圖。

主要元件符號說明

101、301、401、501、601～p型打線墊

102、206、302、402、502、602～p型延伸線路

103、208、303、403～n型接觸區

104、207、304、404、503～n型延伸線路

105、305、405、504、604～n型打線墊

201～基板

202～第一電性層

203～有源層

204～第二電性層

205、505～絕緣層

5021、6021～直向p型延伸線路

5022、6022～橫向p型延伸線路

5031、6031～直向n型延伸線路

605～橫向絕緣層

5032、6032～橫向n型延伸線路

具體實施方式

為了更清楚地理解本發明的目的、特征和優點，以下配合圖式說明本發 明的實施例。但值得注意的是，為了清楚描述起見，本說明書所附的圖式并 未按照比例尺加以繪示。