[發明專利]與鍺硅異質結NPN 三極管集成的PNP三極管有效
| 申請號： | 201110326307.7 | 申請日： | 2011-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN103066114A | 公開（公告）日： | 2013-04-24 |
| 發明（設計）人： | 陳帆;陳雄斌;薛凱;周克然;潘嘉;李昊;王永成 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/73 | 分類號： | H01L29/73;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鍺硅異質結 npn 三極管 集成 pnp | ||
1.一種與鍺硅異質結NPN三極管集成的PNP三極管，形成于P型襯底上，有源區由淺槽場氧隔離，其特征在于，PNP三極管包括：
集電區，由形成于所述有源區中的一P型離子注入區組成，所述集電區的深度大于或等于所述淺槽場氧的底部深度；所述集電區橫向延伸到所述有源區周側的所述淺槽場氧的底部一段距離，在所述集電區橫向延伸部分中形成有重摻雜的P型埋層，在所述P型埋層頂部的所述淺槽場氧中形成有第一深孔接觸，該第一深孔接觸和所述P型埋層接觸并引出集電極；
基區，由形成于所述集電區頂部的所述有源區中并和所述集電區相接觸的一N型離子注入區組成；在所述有源區的側面上形成有基區引出區，所述基區引出區為N型摻雜，所述基區引出區頂部和所述基區接觸、所述基區引出區底部和一N型埋層接觸，所述N型埋層形成于所述有源區周側的所述淺槽場氧的底部、且和所述有源區周側的底部邊緣相接觸；在所述N型埋層頂部的所述淺槽場氧中形成有第二深孔接觸，該第二深孔接觸和所述N型埋層接觸并引出基極；
發射區，由形成于所述基區頂部的鍺硅單晶組成，所述發射區和所述基區相接觸，在所述發射區上形成有金屬接觸引出發射極。
2.如權利要求1所述的與鍺硅異質結NPN三極管集成的PNP三極管，其特征在于：在所述P型襯底上形成有N型深阱，所述PNP三極管形成于所述N型深阱中并被所述N型深阱包圍，在所述淺槽場氧中形成有第三深孔接觸，該第三深孔接觸將所述N型深阱引出。
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