1.一種含雙熒蒽有機半導體材料，其特征在于，具有下述結構通式：

式中，D為其中，R為C₁-C₆的直鏈烷基或支鏈烷基。

2.一種含雙熒蒽有機半導體材料的制備方法，其特征在于，該制備方法包括如下步驟：

步驟S1、將摩爾比為1∶3的4，4’-溴-4”-D基三苯胺和三甲基硅乙炔，加入盛有第一有機溶劑的第一反應器中，隨后往所述第一反應器中加入催化劑；接著往所述第一反應器中通入惰性氣氛并抽真空后，使所述第一反應器置于160～170℃油浴加熱回流反應24～48h，待反應停止、冷卻后，制得4，4’-三甲基硅乙炔-4”-D基三苯胺；

步驟S2、將S1制得的所述4，4’-三甲基硅乙炔-4”-D基三苯胺溶于第二有機溶劑，得到混合溶液；然后往混合溶液中滴加堿溶液，并在室溫攪拌反應；待反應結束后，得到4，4’-乙炔基-4”-D基三苯胺；

步驟S3、將S2中得到的所述4，4’-乙炔基-4”-D基三苯胺和7，9-二苯基-環戊烯萘-8-酮，按照1∶2的摩爾比加入盛有第三有機溶劑的第二反應器中，并充分溶解后，往所述第二反應器通入惰性氣體后，使所述第二反應器置于160～170℃油浴下加熱反應24～48h，待反應結束后，冷卻至室溫，得到具有下述結構通式的所述含雙熒蒽有機半導體材料；

式中，D為其中，R為C₁-C₆的直鏈烷基或支鏈烷基。

3.根據權利要求2所述的含雙熒蒽有機半導體材料的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述第一有機溶劑為三乙胺。

4.根據權利要求2所述的含雙熒蒽有機半導體材料的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述催化劑為摩爾比為2∶1的有機鈀和碘化亞銅的混合物。

5.根據權利要求4所述的含雙熒蒽有機半導體材料的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述有機鈀為四(三苯基膦)鈀、雙(三苯基膦)二氯化鈀、[1，1′-雙(二苯基膦)二茂鐵]二氯化鈀或者雙(三環己基膦)二氯化鈀。

6.根據權利要求4或5所述的含雙熒蒽有機半導體材料的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述有機鈀與4-溴-4’-R1基-4″-R2基三苯胺的摩爾用量比為0.05～0.1∶1。

7.根據權利要求2所述的含雙熒蒽有機半導體材料的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，所述第二有機溶劑為四氫呋喃和甲醇的混合溶劑。

8.根據權利要求2所述的含雙熒蒽有機半導體材料的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，所述堿溶液為當量濃度為5N的NaOH水溶液；所述NaOH水溶液中，NaOH與4，4’-溴-4”-D基三苯胺的摩爾比為2∶1～2.5∶1。

9.根據權利要求2所述的含雙熒蒽有機半導體材料的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述第三有機溶劑為對二甲苯、間二甲苯或鄰二甲苯。

10.一種有機電致發光器，包括襯底，以及依次層疊在所述襯底表面的陽極層、p-摻雜空穴傳輸層、發光層、空穴阻擋層、n-摻雜電子傳輸層，其特征在于，所述發光層的材質采用如權利要求1所述的含雙熒蒽有機半導體材料。