技術領域

本發明涉及電子零件導熱和散熱、半導體照明技術領域，更具體的說涉及一種新型鋁基板的制造方法。

背景技術

鋁基板為電子零件導熱和散熱技術中不可或缺組分，目前衡量鋁基板質量高低的主要技術參數一般包括導熱系數以及耐壓值，導熱系數高以及耐壓值高通常都代表鋁基板的性能越好。

如圖1所示，其為傳統鋁基板9的剖視圖，該鋁基板9具有從表及里依次疊設的表面絕緣層91、導電層92、粘附絕緣層93、以及鋁層94，該電子零件8可以與導電層92相連，該導電層92即為電路層，其上蝕刻形成有電路，該粘附絕緣層93則用于將導電層92粘附絕緣在鋁層94上，該粘附絕緣層93則用于避免導電層92與鋁層94之間的電性導通，該鋁層94則主要用于起到提高散熱效果的作用。

目前該粘附絕緣層93的一種方式是采用絕緣耐壓材料制成，其與絕緣層之間的導熱能力都很差，即無形中影響了鋁層94對電子零件8的散熱效果；由此，人們通過采用絕緣導熱膠的方式，即在膠中添加金屬粉末而增加導熱效果，但其卻會降低整個鋁基板的耐壓值。

針對如上問題，中國專利申請200610053598.6公開了鋁基板磁控濺射金屬化電路板及LED照明器件，其開發出的新技術為——對鋁基板的表面進行絕緣氧化處理，并生成了具有電氣絕緣性能的氧化層，從而通過該氧化層來實現導熱絕緣的功能，但是由于其是采用表面氧化的方式，即其僅能對鋁層中的孔隙進行填充而無法達到形成足夠厚度，即其在耐壓性能上仍然會存在缺陷。

有鑒于此，本發明人針對現有鋁基板的上述缺陷深入研究，遂有本案產生。

發明內容

本發明的目的在于提供一種新型鋁基板的制造方法，從而使得成型出來的鋁基板能在散熱效果以及耐壓性能俱佳。

一種新型鋁基板的制造方法，其中，在成型出鋁層后，還包括在鋁層上進行納米陶瓷鍍膜而形成納米陶瓷絕緣鍍膜層的工序，該納米陶瓷絕緣鍍膜層的厚度=鋁基板耐壓值/基本耐壓值*納米陶瓷絕緣鍍膜層的單位厚度值,所述的納米陶瓷絕緣鍍膜層的單位厚度值指的是預先測得的一個基本耐壓值所對應的納米陶瓷絕緣鍍膜層厚度值。

進一步，其在鋁層的下端亦進行納米陶瓷鍍膜工序而形成第二納米陶瓷絕緣鍍膜層。

采用上述結構后，本發明涉及的一種新型鋁基板的制造方法，其與現有技術相比，其在通過在鋁層上成型出納米陶瓷絕緣鍍膜層，從而能使得導電層的熱量能直接傳遞至納米陶瓷絕緣鍍膜層，該納米陶瓷絕緣鍍膜層再傳遞給鋁層而散發出去，如此其導熱性能不會因為粘附絕緣層而受到限制，即能大大增加導熱效果；并且由于該納米陶瓷絕緣鍍膜層是采用鍍膜的方式實現地，其可以根據實際耐壓需要而增加厚度，從而確保整個鋁基板具有足夠的耐壓值，即具有安全性能上的保障。

附圖說明

圖1為現有一種鋁基板的結構剖視圖；

圖2為本發明涉及一種新型鋁基板的制造方法所成型出一種具體鋁基板的結構剖視圖。

圖中：

鋁基板100???????????????表面阻焊層1

導電層?2?????????????????納米陶瓷絕緣鍍膜層3

鋁層4???????????????????第二納米陶瓷絕緣鍍膜層5

電子零件8???????????????鋁基板9

表面絕緣層91????????????導電層?92

粘附絕緣層?93????????????鋁層94。

具體實施方式

為了進一步解釋本發明的技術方案，下面通過具體實施例來對本發明進行詳細闡述。

本發明涉及一種新型鋁基板的制造方法，其相對于現有鋁基板的成型方法不同之處在于：

在成型出鋁層后，還包括在鋁層上進行納米陶瓷鍍膜的工序，通過該鍍膜工序從而能形成納米陶瓷絕緣鍍膜層，在實際鍍膜時，需要根據當前鋁基材的耐壓值要求而電鍍出相應厚度的納米陶瓷絕緣鍍膜層。該納米陶瓷絕緣鍍膜層的厚度=鋁基板耐壓值/基本耐壓值*納米陶瓷絕緣鍍膜層的單位厚度值，所述的納米陶瓷絕緣鍍膜層的單位厚度值指的是預先測得的一個基本耐壓值所對應的納米陶瓷絕緣鍍膜層厚度值。具體的，該納米陶瓷絕緣鍍膜層英文為Nano?Ceramic?Coating。

另外，為了進一步提高絕緣性能，其在鋁層的下端亦進行納米陶瓷鍍膜工序而形成第二納米陶瓷絕緣鍍膜層。