技術領域

本發明涉及集成電路制造工藝技術領域，尤其涉及一種半導體曝光方法。

背景技術

光刻技術(Lithograph)是實現集成電路圖案的關鍵工藝技術。在光刻技 術中，將感光材料(光刻膠)涂覆于基底的薄膜上，采用與光刻膠感光特性相 應的波段的光，透過具有特定圖案的掩膜板照射至光刻膠表面，經顯影后形成 與掩膜板上的圖案相對應的光刻膠圖形。在集成電路的后續工藝中，以此光刻 膠圖形作為阻擋層對其下的薄膜進行選擇性刻蝕，便可以將掩膜板上的圖案完 整地轉移到基底的薄膜上。集成電路的圖案線寬越細，要求光刻膠的成像分辨 率越高，而光刻膠的成像分辨率與曝光光源的波長成反比，因此，縮小曝光光 源的波長成為實現細線寬圖案的主要途徑。

目前，曝光光源的種類包括近紫外光(Near?Ultra-Violet，NUV)、中紫外光 (Mid?Ultra-Violet，MUV)、深紫外光(Deep?Ultra-Violet，DUV)、X-光(X-Ray) 等多種，其中，MUV具有相對成熟的工藝技術，能滿足大部分大規模集成電路 及超大規模集成電路的制作，然而MUV的波長在350nm～450nm之間，一次曝 光的曝光劑量產生的能量很大，長時間作業后，產生的熱量容易損壞曝光鏡頭。 針對此弊端，通常將一次曝光的曝光劑量分成兩次進行曝光，以減少對鏡頭的 損傷。由于光刻機的程式設置使得依照同一個晶圓曝光圖不能進行連續兩次的 曝光，根據晶圓曝光圖進行一次曝光之后，被光刻晶圓離開光刻機曝光平臺， 進入曝光后烘烤的準備，若要完成剩下劑量的第二次曝光，必須使晶圓重新進 入光刻機曝光平臺后，掩膜板完成對準(自動完成)后，晶圓按照同一個晶圓 曝光圖進行剩余劑量的第二次曝光。這樣不連續的兩次曝光，對應兩次不同的 套刻對準，兩次套刻對準不可能完全一樣，因此產生套刻對準的差異，對晶圓 的光刻精度產生不良影響；另外，晶圓曝光后在較短的時間內需要進行烘烤， 由于完成曝光的多個晶圓一起進行烘烤，因此不連續的兩次曝光延長了完成曝 光的時間，使得同時能夠進行一起烘烤的晶圓數目減少，降低了工藝制程的生 產效率。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供了一種半導體曝光方法，以解決不連續 的多次曝光造成光刻精度不良以及工藝制程降低的問題。

為了解決上述技術問題，本發明的技術方案是：提供了一種半導體曝光方 法，包括：根據原始晶圓曝光圖對半導體曝光區域進行原始曝光；建立與晶圓 曝光圖對應的位移移動模塊，使所述晶圓曝光圖移動至與所述原始晶圓曝光圖 相交；根據移動后的所述晶圓曝光圖對所述半導體曝光區域進行曝光。

進一步的，建立與所述晶圓曝光圖對應的所述位移移動模塊，使所述晶圓 曝光圖移動至與所述原始晶圓曝光圖重疊。

進一步的，所述晶圓曝光圖為一個。

進一步的，所述晶圓曝光圖為多個。

進一步的，多個所述晶圓曝光圖的圖形相同。

進一步的，所述晶圓曝光圖的圖形與所述原始晶圓曝光圖的圖形相同。

本發明提供的半導體曝光方法，利用與原始晶圓曝光圖位置不同的晶圓曝 光圖，通過移動晶圓曝光圖使其與原始晶圓曝光圖相交，之后通過移動后的所 述晶圓曝光圖對半導體曝光區域進行曝光，所進行的曝光與原始曝光連續，被 曝光對象無需移出光刻機曝光平臺再進入進行曝光，避免了再次對準操作帶來 的誤差并且節省了對準所需要的時間，保證了多次曝光時最高的對準精度；此 外，通過分別設置原始晶圓曝光圖和晶圓曝光圖的調整參數，使得整個曝光圖 形的質量更好。

附圖說明

圖1是本發明實施例提供的半導體曝光方法的步驟流程圖；

圖2為本發明實施例提供的光刻機臺曝光程式的界面示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例對本發明提出的一種半導體曝光方法作進一步 詳細說明。根據下面說明和權利要求書，本發明的優點和特征將更清楚。需說 明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比率，僅用于方便、明 晰地輔助說明本發明實施例的目的。