1.一種真空處理裝置，其特征在于，

具備：

第1真空室，其在內部配置有用于保持硅基材的第1保持部；

噴嘴部，其用于通過將壓力比該第1真空室內的壓力高的處理氣體向該第1真空室內噴出，而使該處理氣體絕熱膨脹來形成作為處理氣體的原子或者分子的集合體的氣體團簇，為了使所述第1保持部所保持的硅基材多孔質化，對該硅基材噴射所述氣體團簇；

第2真空室，其經由隔離閥與所述第1真空室連接，該第2真空室的內部配置有用于保持硅基材的第2保持部；

成膜處理部，其用于在該第2真空室內對多孔質化后的硅基材在真空氣氛下進行成膜處理；和

真空搬送區域，其具備搬送機構，該搬送機構在不破壞真空氣氛的情況下將在所述第1真空室內多孔質化后的硅基材從所述第1真空室搬送到所述第2真空室，

所述氣體團簇未被離子化。

2.根據權利要求1所述的真空處理裝置，其特征在于，

所述真空搬送區域是經由各個隔離閥與所述第1真空室以及所述第2真空室連接的真空搬送室，

所述搬送機構按照從所述第1真空室經由所述真空搬送室向所述第2真空室搬送的方式動作。

3.根據權利要求1或2的所述的真空處理裝置，其特征在于，

所述成膜處理部進行通過濺射來使金屬附著到硅基材上的處理。

4.一種真空處理方法，其特征在于，包含：

使真空室內的保持部保持硅基材的步驟；和

通過使壓力比該真空室內的壓力高的處理氣體從噴嘴部向該真空室內噴出，而使該處理氣體絕熱膨脹來形成作為處理氣體的原子或者分子的集合體的氣體團簇，該氣體團簇在未離子化的情況下，被噴射到所述硅基材而使所述硅基材多孔質化的步驟。

5.根據權利要求4所述的真空處理方法，其特征在于，

包含在執行了使所述硅基材多孔質化的步驟后，在硅基材所處的氣氛不破壞真空的情況下對該硅基材進行成膜處理的步驟。

6.一種微細加工裝置，其特征在于，

具備：

第1真空室，其在內部配置有用于保持硅基材的第1保持部；和

噴嘴部，其用于通過將壓力比該第1真空室內的壓力高的處理氣體向該第1真空室內噴出，而使該處理氣體絕熱膨脹來形成作為處理氣體的原子或者分子的集合體的氣體團簇，為了使所述第1保持部所保持的硅基材多孔質化，對該硅基材噴射所述氣體團簇，

所述氣體團簇未被離子化。