[發明專利]橫向排列的像素結構有效
| 申請號: | 201110283519.1 | 申請日: | 2011-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN103018982A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發明(設計)人: | 周思思;夏志強 | 申請(專利權)人: | 上海中航光電子有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯長明 |
| 地址: | 201108 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 橫向 排列 像素 結構 | ||
1.一種橫向排列的像素結構,其特征在于,包括:
水平相鄰的兩個主像素區,其中,每個主像素區分別包括垂直相鄰的三個次像素區;其中,所述垂直相鄰的三個次像素區包括:第一次像素區、第二次像素區和第三次像素區;
與兩個主像素區一一對應的兩條公共電極線;
其中,每條公共電極線包括:
第一邊緣線,所述第一邊緣線覆蓋第一次像素區上的像素電極的部分邊緣;
第二邊緣線,所述第二邊緣線覆蓋第二次像素區上的像素電極的部分邊緣;
第三邊緣線,所述第三邊緣線覆蓋第三次像素區上的像素電極的部分邊緣;
第一非邊緣線,所述第一非邊緣線連接所述第一邊緣線和第二邊緣線;
第二非邊緣線,所述第二非邊緣線連接所述第二邊緣線和第三邊緣線;
其中,第一邊緣線、第二邊緣線和第三邊緣線中至少一個是U形。
2.根據權利要求1所述的像素結構,其特征在于,
每條公共電極線還包括:
第三非邊緣線,所述第三非邊緣線連接第一邊緣線和上一個主像素區的公共電極線;所述上一個主像素區為與所述第一次像素區垂直相鄰的主像素區;
第四非邊緣線,所述第四非邊緣線連接第三邊緣線和下一個主像素區的公共電極線;所述下一個主像素區為與所述第三次像素區垂直相鄰的主像素區。
3.根據權利要求2所述的像素結構,其特征在于,
所述第一邊緣線為U形,
所述第一非邊緣線連接所述第一邊緣線的一個側壁和第二邊緣線;
所述第三非邊緣線連接所述第一邊緣線的另一個側壁和上一個主像素區的公共電極線;
或者,
所述第二邊緣線為U形;
所述第一非邊緣線連接所述第一邊緣線和第二邊緣線的一個側壁;
所述第二非邊緣線連接所述第二邊緣線的另一個側壁和第三邊緣線;
或者,
所述第三邊緣線為U形;
所述第二非邊緣線連接所述第二邊緣線和第三邊緣線的一個側壁;
所述第四非邊緣線連接第三邊緣線的另一個側壁和下一個主像素區的公共電極線。
4.根據權利要求1至3任一項所述的像素結構,其特征在于,
第一邊緣線、第二邊緣線和第三邊緣線中的U形的邊緣線的開口方向朝向所述U形的邊緣線所在的次像素區中薄膜晶體管的源極所電連接的數據線。
5.根據權利要求4所述的像素結構,其特征在于,還包括:
六個薄膜晶體管,分別設置于對應的次像素區內;
兩條柵極線和三條數據線;
其中,每條數據線分別與兩個薄膜晶體管的源極電連接,其中,不同的數據線所電連接的薄膜晶體管不同;與同一條數據線電連接的兩個薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接;
兩條柵極線包括:第一柵極線和第二柵極線;
當所述第一柵極線位于第一次像素區和第二次像素區之間,第二柵極線位于第二次像素區和第三次像素區之間,第一非邊緣線縱向跨過第一柵極線,第二非邊緣線縱向跨過第二柵極線;
當所述第一柵極線位于第一次像素區和第二次像素區之間,第二柵極線位于第三次像素區之外,第一非邊緣線縱向跨過第一柵極線,第四非邊緣線縱向跨過第二柵極線;
當所述第一柵極線位于第一次像素區之外,第二柵極線位于第二次像素區與第三次像素區之間,第三非邊緣線縱向跨過第一柵極線,第二非邊緣線縱向跨過第二柵極線。
6.一種橫向排列的像素結構,其特征在于,包括:
水平相鄰的兩個主像素區,其中,每個主像素區分別包括垂直相鄰的三個次像素區;
三條公共電極線,每條公共電極線橫向跨過兩個主像素區中水平相鄰的次像素區;
其中,所述水平相鄰的兩個主像素區包括:第一主像素區和第二主像素區;
每條公共電極線包括:
第一邊緣線,所述第一邊緣線覆蓋第一主像素區內的次像素區上的像素電極的部分邊緣;
第二邊緣線,所述第二邊緣線覆蓋第二主像素區內的次像素區上的像素電極的部分邊緣;所述第一主像素區內的次像素區與所述第二主像素區內的次像素區水平相鄰;
第一非邊緣線,所述第一非邊緣線連接第一邊緣線和第二邊緣線;
其中,所述第一邊緣線和所述第二邊緣線中至少一個為U形。
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