1.一種平面型固體放電管芯片制造工藝用硅片制備方法，其特征是它包括以下步驟：

首先，對硅片進行酸腐蝕去除硅，得到一定厚度的硅片；

其次，對厚度變薄的硅片進行堿腐蝕至硅片的表面致密均勻；

最后，對表面致密均勻的硅片進行二次酸腐蝕，得到符合厚度要求、表面致密均勻的硅片。

2.根據權利要求1所述的平面型固體放電管芯片制造工藝用硅片制備方法，其特征是該方法包括以下步驟：

（a）、將酸腐蝕液倒入恒溫腐蝕槽內，溫度控制在5-10攝氏度，取硅片放入腐蝕槽內腐蝕，時間為120-180s，使得硅片厚度為目標硅片厚度的1.20-1.31倍，用水沖洗15-20min，待堿腐蝕；

（b）、將厚度變薄的硅片放入堿腐蝕液中，加熱煮沸，然后室溫冷卻，時間為5-10min，直到厚度為目標硅片厚度的1.10-1.20倍，使用沸水去除硅片上殘余的堿液，用去離子水沖洗?15-20min，待酸腐蝕，堿腐蝕后的硅片表面致密均勻；

（c）、將酸腐蝕液倒入恒溫腐蝕槽內，溫度控制在5-10攝氏度，取堿腐蝕后的硅片放入腐蝕槽內腐蝕，時間為120-180s，使得硅片達到目標厚度，用水沖洗25-30min，烘干，得到厚度符合要求的硅片。

3.根據權利要求2所述的平面型固體放電管芯片制造工藝用硅片制備方法，其特征是在步驟（a）之前，對硅片進行表面清洗，然后烘干硅片待腐蝕。

4.根據權利要求3所述的平面型固體放電管芯片制造工藝用硅片制備方法，其特征是對硅片進行表面清洗的清洗液采用氨水、雙氧水和去離子水按一定比例配成。

5.根據權利要求1所述的平面型固體放電管芯片制造工藝用硅片制備方法，其特征是步驟（a）中，所述的酸腐蝕液采用硝酸、氫氟酸、冰乙酸按一定比例配成。

6.根據權利要求1所述的平面型固體放電管芯片制造工藝用硅片制備方法，其特征是步驟（b）中，所述的堿腐蝕液采用氫氧化鉀、去離子水按一定比例配成。

7.根據權利要求1所述的平面型固體放電管芯片制造工藝用硅片制備方法，其特征是步驟（c）中，所述的二次酸腐蝕的酸腐蝕液采用硝酸、氫氟酸、冰乙酸按一定比例配成。

8.根據權利要求1所述的平面型固體放電管芯片制造工藝用硅片制備方法，其特征是所述的硅片少于20片。

9.根據權利要求1所述的平面型固體放電管芯片制造工藝用硅片制備方法，其特征是硅片表面致密均勻即為硅片表面晶粒直徑大于200um，硅片中心厚度與邊緣厚度相差小于20um。