1.一種HTCVD法碳化硅晶體生長裝置，所述晶體生長裝置適用于高溫化學氣相沉積工藝，所述晶體生長裝置包括：

一真空室；

一晶體生長室，與真空室連接，該晶體生長室包括多個獨立的晶體生長腔；

多個輸送源氣體的管路，該輸送源氣體的管路位于真空室和晶體生長室內，分別與晶體生長室的獨立的晶體生長腔連通，用于向晶體生長室輸送源氣體；

一用于排除尾氣的管路，位于真空室和晶體生長室內，分別與多個晶體生長腔連接，用于排出晶體生長尾氣。

2.根據權利要求1所述的HTCVD法碳化硅晶體生長裝置，其中還包括：至少覆蓋在所述晶體生長室外部的熱防護裝置。

3.根據權利要求1所述的HTCVD法碳化硅晶體生長裝置，其中還包括：樣品裝取室，遠離真空室，位于晶體生長室的一側。

4.根據權利要求3所述的HTCVD法碳化硅晶體生長裝置，其中所述樣品裝取室進一步包括：裝取樣品架的導軌，以及沿所述導軌裝取樣品的桿狀部件，位于樣品裝取室的上方。

5.根據權利要求4所述的HTCVD法碳化硅晶體生長裝置，其中所述桿狀部件選自磁力棒或勾型桿。

6.根據權利要求1所述的HTCVD法碳化硅晶體生長裝置，所述晶體生長腔還包括：底板，該底板位于晶體生長腔的底部，兩個氣流擋板，該氣流擋板位于底板上，用于限制源氣體進入后的流向及空間；感應加熱桶，扣置于底板上，在與底板之間形成供氣體流過的通道，用于接收電磁感應，從而向所述晶體生長腔內部提供熱量；并且該感應加熱桶在所述晶體生長腔的主體部分分布有更多的感應線圈；樣品托，該樣品托位于感應加熱桶的上部，用于放置籽晶以及收納所生長的晶體樣品；氣動樣品托通道，該氣動樣品托通道位于樣品托與感應加熱桶頂部之間，用于通過該通道輸送的氣體驅動所述樣品托旋轉和上下運動。

7.根據權利要求1所述的HTCVD法碳化硅晶體生長裝置，其中每個所述輸送源氣體的管路都是由雙層或多層套管構成，其中外部套管與內部套管之間的通道所輸送的氣體用于限制所述內部套管的氣體流向。

8.根據權利要求1所述的HTCVD法碳化硅晶體生長裝置，其中所述輸送源氣體的管路在所述真空室是由雙層或多層套管構成的整體結構，而在所述晶體生長室內再形成多分支的套管結構，以便每一路分支套管分別延伸至相應的晶體生長腔的底部。