[發明專利]MEMS裝置組件及其封裝方法有效
| 申請號: | 201110262810.0 | 申請日: | 2011-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN102381678A | 公開(公告)日: | 2012-03-21 |
| 發明(設計)人: | 馬克·E·施拉曼;林毅楨 | 申請(專利權)人: | 飛思卡爾半導體公司 |
| 主分類號: | B81C1/00 | 分類號: | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 李寶泉;周亞榮 |
| 地址: | 美國得*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | mems 裝置 組件 及其 封裝 方法 | ||
1.一種制造微機電系統(MEMS)裝置的方法,包括:
在襯底上形成所述MEMS裝置;
移除部分圍繞所述MEMS裝置的所述襯底的一部分以形成懸臂式襯底平臺,所述MEMS裝置設置在所述懸臂式襯底平臺處;以及
連接蓋層以覆蓋所述MEMS裝置。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述移除操作包括制造具有從所述平臺延伸的臂的所述懸臂式襯底平臺,所述臂的第一端部固定至所述襯底,且所述臂的第二端部固定至所述懸臂式襯底平臺,其中所述臂是所述平臺與所述襯底的唯一附接點。
3.根據權利要求1所述的方法,其中所述移除操作包括將所述一部分蝕刻通過所述襯底的整個厚度,以形成所述懸臂式襯底平臺。
4.根據權利要求1所述的方法,其中所述襯底包括正面和與所述正面隔開所述襯底的厚度的背面,所述MEMS裝置形成在所述正面上,且所述移除操作包括從所述正面向所述背面移除所述襯底的所述一部分的至少一個區段。
5.根據權利要求4所述的方法,其中所述一部分的所述至少一個區段具有小于所述襯底的所述厚度的區段厚度,且所述方法還包括從所述背面向所述正面移除所述襯底的所述一部分的剩余部分。
6.根據權利要求1所述的方法,其中所述一部分是第一部分,所述MEMS裝置具有活動區,且所述移除操作移除所述活動區下面的所述襯底的第二部分,以形成延伸通過所述襯底到所述活動區的孔。
7.根據權利要求6所述的方法,其中所述襯底包括正面和與所述正面隔開所述襯底的厚度的背面,所述MEMS裝置形成在所述正面上,且所述移除操作包括:
從所述正面向所述背面進行第一移除工藝,以移除所述襯底的所述第一部分的一個區段,所述區段具有小于所述襯底的所述厚度的區段厚度;以及
從所述背面向所述正面進行第二移除工藝,以移除所述第一部分的剩余部分,以形成所述懸臂式襯底平臺并同時移除所述第二部分以形成所述孔。
8.根據權利要求1所述的方法,其中所述襯底是第一襯底,所述部分是第一部分,所述MEMS裝置形成在所述第一襯底的第一正面上,且所述方法還包括:
提供第二襯底;
移除所述第二襯底的第二部分,以形成第二懸臂式襯底平臺;以及
將所述第二襯底的第二正面附接至所述第一襯底的第一背面,使得所述第二懸臂式襯底平臺與所述懸臂式襯底平臺垂直堆疊,以形成堆疊的懸臂式平臺結構。
9.根據權利要求8所述的方法,其中所述MEMS裝置具有活動區,以及
所述移除所述第一部分包括:
從所述第一襯底的所述第一正面向所述第一襯底的所述第一背面進行第一移除工藝,以移除所述第一部分的一個區段,所述區段具有小于所述第一襯底的厚度的區段厚度;以及
從所述第一襯底的所述第一背面向所述第一襯底的所述第一正面進行第二移除工藝,以移除所述第一部分的剩余部分,并同時移除所述活動區下面的所述第一襯底的第三部分,以形成延伸通過所述第一襯底的孔;并且
所述方法還包括在所述第二移除工藝后進行所述附接操作,其中所述第二襯底覆蓋所述孔以在所述MEMS裝置的所述活動區下面形成密封腔。
10.根據權利要求8所述的方法,其中所述移除所述第一和第二部分形成了延伸通過部分圍繞所述堆疊的懸臂式平臺結構的所述第一和第二襯底的開口,且所述方法還包括:
在所述第二襯底的第二背面設置插塞部件,以堵住所述開口;
施加模制化合物以基本上包封所述MEMS裝置以及所述連接的蓋層,其中所述施加操作在所述設置操作之后進行;以及
在所述施加操作之后,移除所述插塞部件以暴露所述開口的至少一部分。
11.根據權利要求1所述的方法,還包括施加模制化合物以基本上包封所述MEMS裝置以及所述連接的蓋層,所述蓋層防止所述模制化合物接觸所述MEMS裝置。
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