1.一種低噪聲放大器優化方法，其特征在于，包括步驟：

由低噪聲放大器主體電路根據二端口噪聲理論而得的小信號模型得知所述低噪聲放大器主體電路的輸入特性表達和所述低噪聲放大器主體電路的噪聲參數表達，其中，所述低噪聲放大器主體電路的輸入特性表達為所述低噪聲放大器主體電路的輸入阻抗或輸入導納，所述低噪聲放大器主體電路的噪聲參數表達為所述低噪聲放大器主體電路的噪聲參數阻抗或噪聲參數導納；

使所述低噪聲放大器主體電路的輸入特性表達和所述低噪聲放大器主體電路的噪聲參數表達相匹配，確定所述低噪聲放大器主體電路中涉及的元件的參數值；

使所述低噪聲放大器主體電路的輸入特性表達和所述低噪聲放大器主體電路的噪聲參數表達分別與源端電路特性表達相匹配，確定所述源端電路中涉及的元件的參數值，其中所述源端電路包括信號源和所述信號源與所述低噪聲放大器主體電路間的匹配電路。

2.根據權利要求1所述的低噪聲放大器優化方法，其特征在于，所述使所述低噪聲放大器主體電路的輸入特性表達和所述低噪聲放大器主體電路的噪聲參數表達相匹配，確定所述低噪聲放大器主體電路中涉及的元件的參數值，具體為：

構造函數表達f_d(a，b)＝(X_in-X_opt)²+(Y_in-Y_opt)²，其中，a和b均為所述低噪聲放大器主體電路中涉及的元件的參數，X_in和Y_in分別是所述低噪聲放大器主體電路的輸入特性的實部表達和虛部表達，X_opt和Y_opt分別是所述低噪聲放大器主體電路的噪聲參數的實部表達和虛部表達；

在預設電流的約束下，確定當函數表達f_d(a，b)為最小時，元件a和元件b所對應的參數值。

3.根據權利要求2所述的低噪聲放大器優化方法，其特征在于，所述在預設電流的約束下，確定當函數表達f_d(a，b)為最小時，元件a和元件b所對應的參數值，具體為：

預設所述元件a和所述元件b的取值范圍，對所述元件a和所述元件b在所述預設取值范圍內進行掃描，確定函數表達f_d(a，b)的等高線；

確定所述函數表達f_d(a，b)的等高線中的最小等高線，在所述函數f_d的最小等高線上取點，由所取的點所對應的坐標，確定所述元件a所對應的參數值和所述元件b所對應的參數值。

4.根據權利要求1所述的低噪聲放大器優化方法，其特征在于，所述低噪聲放大器主體電路的輸入特性表達和所述低噪聲放大器主體電路的噪聲參數表達中分別包含所述低噪聲放大器主體電路中元件的寄生電容。

5.根據權利要求1所述的低噪聲放大器優化方法，其特征在于，所述低噪聲放大器主體電路包括三極管、電容電路和電感電路，其中，所述電容電路接于所述三極管基極和發射極間，所述電感電路接于所述三極管發射極和參考地之間。

6.根據權利要求1所述的低噪聲放大器優化方法，其特征在于，所述所述信號源與所述低噪聲放大器主體電路間的匹配電路，包括：電容電路和電感電路，其中，所述電容電路設于所述信號源與所述低噪聲放大器主體電路間，所述電感電路的一端接于所述電容電路和低噪聲放大器主體電路間，所述電感電路的另一端接于參考地。

7.根據權利要求1所述的低噪聲放大器優化方法，其特征在于，所述所述信號源與所述低噪聲放大器主體電路間的匹配電路，包括：電容電路和電感電路，其中，所述電感電路設于所述信號源與所述低噪聲放大器主體電路間，所述電容電路的一端接于所述信號源和所述電感電路間，所述電容電路的另一端接于參考地。