1.一種多腔室半導體處理裝置，其特征在于，其包括：

包括至少兩個沿縱向分布的用于容納和處理半導體晶圓的微腔室，每個微腔室包括形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，所述上腔室部和所述下腔室部可沿縱向貫穿其邊緣的立柱的導引在一用于裝載或移除該半導體晶圓的打開位置和一用于容納和處理半導體晶圓的關閉位置之間相對移動，

在關閉位置時，半導體晶圓安置于所述上工作表面和下工作表面之間，且與所述微腔室的內壁形成有供處理流體流動的空隙，所述微腔室包括至少一個供處理流體進入所述微腔室的入口和至少一個供處理流體排出所述微腔室的出口。

2.根據權利要求1所述的多腔室半導體處理裝置，其特征在于，所述多腔室半導體處理裝置還包括驅動裝置，至少一個微腔室的上腔室部或下腔室部被所述驅動裝置驅動而沿所述立柱的導引下移動，所述上腔室部和下腔室部中的另外一個被固定于所述立柱的預定位置。

3.根據權利要求1所述的多腔室半導體處理裝置，其特征在于，所述多腔室半導體處理裝置還包括位于最下側的微腔室的下腔室部下方的驅動裝置或/和位于最上側的微腔室的上腔室部上方的驅動裝置，所述驅動裝置沿縱向驅動對應的腔室部，每個微腔室的上腔室部和所述下腔室部之間還包括可伸縮的微驅動部件，每個微腔室的上腔室部和所述下腔室部在所述微驅動部件和所述驅動裝置提供的驅動力驅使下沿所述立柱的導引向上移動或者向下移動。

4.根據權利要求3所述的多腔室半導體處理裝置，其特征在于，所述微驅動部件為套接在所述立柱上的螺旋拉伸彈簧，且位于下方微腔室的上腔室部和下腔室部之間的螺旋拉伸彈簧的彈簧系數小于位于上方微腔室的上腔室部和下腔室部之間的螺旋拉伸彈簧的彈簧系數。

5.根據權利要求2或3所述的多腔室半導體處理裝置，其特征在于，相鄰的兩個微腔室中，位于縱向上方的微腔室的下腔室部和位于縱向下方的微腔室的上腔室部相互固定或者一體成型。

6.根據權利要求1所述的多腔室半導體處理裝置，其特征在于，所述多腔室半導體處理裝置還包括位于最下側的微腔室的下腔室部下方的驅動裝置或位于最上側的微腔室的上腔室部上方的驅動裝置，所有微腔室的上腔室部固定相連并且所有微腔室的下腔室部固定相連，當驅動裝置驅動位于最下側的微腔室的下腔室部向上移動時，所有微腔室的下腔室部在所述立柱的導引下向上移動；當驅動裝置驅動位于最上側的微腔室的上腔室部向下移動時，所有微腔室的上腔室部在所述立柱的導引下向下移動。

7.根據權利要求6所述的多腔室半導體處理裝置，其特征在于，所有微腔室的上腔室部被固定于若干根第一套管上；所有微腔室的下腔室部被固定于若干根第二套管上，每根第一套管和第二套管分別套接在所述立柱上并可沿所述立柱向上或者向下移動。

8.根據權利要求7所述的多腔室半導體處理裝置，其特征在于，所述第一套管和第二套管的外表面包含有螺紋，所述第一套管和第二套管貫穿所述上腔室部或者下腔室部的邊緣后選擇性地通過對應于所述螺紋的螺帽固定。

9.根據權利要求1、2、3、4、6、7和8任一所述的多腔室半導體處理裝置，其特征在于，所述驅動裝置包括頂蓋板和底蓋板，所述頂蓋板和底蓋板分別包括對應形狀的基板部，并且所述頂蓋板的基板部向下延伸有頂側壁，所述底蓋板的基板部向上延伸有底側壁，所述頂蓋板的基板部、頂側壁、底側壁和所述底蓋板的基板部圍成的空腔內包含一流體驅動裝置，所述流體驅動裝置與所述基板部相連，

所述頂蓋板或者底蓋板中的一個固定于所述立柱的預定位置，所述頂蓋板或者底蓋板中的另一個與相鄰微腔室的腔室部固定相連或一體成型，藉由所述流體驅動裝置的膨脹和收縮，可以驅動所述頂蓋板和所述底蓋板中的另一個及與其相鄰的腔室部沿所述立柱移動。

10.根據權利要求9所述的多腔室半導體處理裝置，其特征在于，所述多腔室半導體處理裝置還包括處理流體供應裝置和處理流體收集裝置，

所述處理流體供應裝置，連接于供處理流體進入所述微腔室的入口，用于提供處理流體，和

所述處理流體收集裝置，連接于供處理流體排出所述微腔室的出口，用于收集處理流體處理半導體晶圓后的廢液，

其中，所述處理流體包括化學制劑和氣體。