1.一種制絨白斑單晶硅片的返工工藝，其特征在于，包括：

對白斑單晶硅片進行高溫處理，使所述白斑單晶硅片表面殘留的雜質揮發；

對高溫處理后的所述白斑單晶硅片進行制絨工藝，去除單晶硅片表面的白斑。

2.如權利要求1所述的制絨白斑單晶硅片的返工工藝，其特征在于，對所述白斑單晶硅片進行溫度逐漸升高的高溫處理。

3.如權利要求2所述的制絨白斑單晶硅片的返工工藝，其特征在于，利用燒結爐對所述白斑單晶硅片進行高溫處理，所述高溫處理包括：

設定所述燒結爐內各個溫區的工作溫度，并使所述燒結爐內的溫度達到各個所述工作溫度；

所述白斑單晶硅片從所述燒結爐的進口進入，經過溫度逐漸升高的各個溫區至所述燒結爐的出口。

4.如權利要求3所述的制絨白斑單晶硅片的返工工藝，其特征在于，靠近所述燒結爐進口的溫區溫度為200℃～220℃，靠近所述燒結爐出口的溫區溫度為850℃～1000℃。

5.如權利要求4所述的制絨白斑單晶硅片的返工工藝，其特征在于，將所述白斑單晶硅片放置在貫穿所述燒結爐的傳輸絲網上，通過所述傳輸絲網的運輸使所述白斑單晶硅片依次經過溫度逐漸升高的各個溫區。

6.如權利要求5所述的制絨白斑單晶硅片的返工工藝，其特征在于，所述傳輸絲網傳輸的帶速為4米/分鐘～6米/分鐘。

7.如權利要求1至6中任一項所述的制絨白斑單晶硅片的返工工藝，其特征在于，所述制絨工藝包括：

對所述白斑單晶硅片進行預清洗，預清洗完畢后用去離子水將所述白斑單晶硅片沖洗干凈；

采用氫氧化鈉、異丙醇以及制絨添加劑的混合液制絨，制絨完畢后用去離子水沖洗干凈；

對已去除白斑的單晶硅片進行酸洗以去除所述單晶硅片的金屬離子雜質以及所述單晶硅片表面的氧化層，酸洗后用去離子水沖洗干凈；

對所述單晶硅片進行烘干。

8.如權利要求7所述的制絨白斑單晶硅片的返工工藝，其特征在于，采用異丙醇溶液對所述白斑單晶硅片進行預清洗。

9.如權利要求7所述的制絨白斑單晶硅片的返工工藝，其特征在于，采用鹽酸溶液去除所述單晶硅片的金屬離子雜質，采用氫氟酸溶液去除所述單晶硅片表面的氧化層。