1.一種氣體傳感器元件，其檢測(cè)測(cè)量氣體內(nèi)的特定氣體的濃度，所述氣體傳感器元件包括：

配線層，其形成于傳感器的內(nèi)部；

絕緣層，其覆蓋所述配線層的前表面；

電極端子，其被設(shè)置在所述絕緣層的與所述配線層相對(duì)一側(cè)的所述絕緣層的主表面上并且電連接到所述配線層；以及

中間層，其被插入在所述電極端子與所述配線層之間并且將所述電極端子與所述配線層進(jìn)行電連接，其中

所述電極端子是由第一金屬材料構(gòu)成的，所述配線層是由第二金屬材料構(gòu)成的，并且所述中間層是由所述第一金屬材料和所述第二金屬材料中的具有較低熔點(diǎn)的金屬材料構(gòu)成的。

2.一種氣體傳感器元件，其檢測(cè)測(cè)量氣體內(nèi)的特定氣體的濃度，所述氣體傳感器元件包括：

配線層，其形成于傳感器的內(nèi)部；

絕緣層，其覆蓋所述配線層的前表面；

電極端子，其被設(shè)置在所述絕緣層的與所述配線層相對(duì)一側(cè)的所述絕緣層的主表面上并且電連接到所述配線層；

中間層，其被插入在所述電極端子與所述配線層之間并且將所述電極端子與所述配線層進(jìn)行電連接；以及

通孔，其穿過所述絕緣層，具有設(shè)置在該通孔內(nèi)的金屬連接部件，具有比所述中間層小的外徑，并且連接所述中間層與所述電極端子，其中

所述連接部件和所述電極端子是由第一金屬材料構(gòu)成的，所述配線層和所述中間層是由第二金屬材料構(gòu)成的，并且所述第二金屬材料具有比所述第一金屬材料低的熔點(diǎn)。

3.一種氣體傳感器元件，其檢測(cè)測(cè)量氣體內(nèi)的特定氣體的濃度，所述氣體傳感器元件包括：

配線層，其形成于傳感器的內(nèi)部；

絕緣層，其覆蓋所述配線層的前表面；

電極端子，其被設(shè)置在所述絕緣層的與所述配線層相對(duì)一側(cè)的所述絕緣層的主表面上并且電連接到所述配線層；

中間層，其被插入在所述電極端子與所述配線層之間并且將所述電極端子與所述配線層進(jìn)行電連接；

第一通孔，其穿過所述絕緣層，具有設(shè)置在該第一通孔內(nèi)的金屬第一連接部件，具有比所述中間層小的外徑，并且連接所述中間層與所述電極端子；以及

第二通孔，其穿過所述絕緣層，具有設(shè)置在該第二通孔內(nèi)的金屬第二連接部件，具有比所述中間層小的外徑，并且連接所述配線層與所述中間層，其中

所述第一連接部件和所述電極端子是由第一金屬材料構(gòu)成的，所述配線層和所述第二連接部件是由所述第二金屬材料構(gòu)成的，并且所述中間層是由所述第一金屬材料和所述第二金屬材料中的具有較低熔點(diǎn)的金屬材料構(gòu)成的。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣體傳感器元件，其中

空隙形成于所述中間層的外圍部分中，所述外圍部分是所述中間層的與所述連接部件接觸的界面的外圍，所述連接部件是由與所述中間層的金屬材料不同的金屬材料構(gòu)成的。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣體傳感器元件，其中

在所述通孔的外徑A與所述中間層的外徑B之間建立關(guān)系B/A≥2，并且所述中間層的厚度d為0.01mm或者更大。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣體傳感器元件，其中

空隙形成于所述中間層的外圍部分中，所述外圍部分是所述中間層的與所述連接部件接觸的界面的外圍，所述連接部件是由與所述中間層的金屬材料不同的金屬材料構(gòu)成的。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣體傳感器元件，其中

在所述第一通孔的外徑A與所述中間層的外徑B之間建立關(guān)系B/A≥2，

在所述第二通孔的外徑A與所述中間層的外徑B之間建立關(guān)系B/A≥2，以及

所述中間層的厚度d為0.01mm或更大。

8.一種氣體傳感器，其包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體傳感器元件。

9.一種氣體傳感器，其包括根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣體傳感器元件。

10.一種氣體傳感器，其包括根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣體傳感器元件。