1.一種外延襯底，用于生長外延層，該外延襯底包括：一基底，該基底具有一圖案化的表面作為外延生長面，其特征在于，所述外延襯底進一步包括一碳納米管層覆蓋所述基底的外延生長面設置，所述基底的外延生長面具有多個凹槽，所述碳納米管層在對應所述凹槽的位置懸空設置。

2.如權利要求1所述的外延襯底，其特征在于，所述多個凹槽彼此平行排列或彼此交叉排列。

3.如權利要求2所述的外延襯底，其特征在于，所述凹槽的寬度為1微米～50微米，深度為0.1微米～1微米，相鄰凹槽之間的間距為1微米～20微米。

4.如權利要求1所述的外延襯底，其特征在于，所述基底為一單晶結構體，且所述基底的材料為GaAs、GaN、Si、SOI、AlN、SiC、MgO、ZnO、LiGaO₂、LiAlO₂或Al₂O₃。

5.如權利要求1所述的外延襯底，其特征在于，所述碳納米管層為多個碳納米管組成的自支撐結構，該碳納米管層直接鋪設在所述基底的外延生長面。

6.如權利要求1所述的外延襯底，其特征在于，所述碳納米管層中的碳納米管的延伸方向平行于所述碳納米管層所在的平面。

7.如權利要求1所述的外延襯底，其特征在于，所述碳納米管層包括多個沿同一方向擇優取向延伸的碳納米管，所述碳納米管之間通過范德華力首尾相連。

8.如權利要求7所述的外延襯底，其特征在于，所述多個凹槽平行排列，所述碳納米管的延伸方向與所述凹槽的延伸方向交叉排列。

9.如權利要求7所述的外延襯底，其特征在于，所述碳納米管層包括多層碳納米管膜層疊設置。

10.如權利要求1所述的外延襯底，其特征在于，所述碳納米管層具有多個空隙，該多個空隙沿所述碳納米管層的厚度方向貫穿所述碳納米管層。

11.一種外延襯底，用于生長外延層，該外延襯底包括：一基底，該基底具有一外延生長面；以及多個凸起結構設置在所述基底的外延生長面，其特征在于，所述外延襯底進一步包括一碳納米管層覆蓋所述多個凸起結構以及基底的外延生長面設置，位于相鄰的兩個凸起結構之間的所述碳納米管層懸空設置。

12.如權利要求11所述的外延襯底，其特征在于，所述多個凸起結構為沿同一方向延伸且彼此平行間隔設置的條形凸起結構。

13.如權利要求12所述的外延襯底，其特征在于，所述碳納米管層包括多個沿同一方向擇優取向延伸的碳納米管，且所述碳納米管的延伸方向垂直于所述條形凸起結構的延伸方向。

14.如權利要求12所述的外延襯底，其特征在于，所述條形凸起結構的寬度為1微米～50微米，相鄰凸起結構之間的間距為1微米～20微米。

15.一種外延襯底的制備方法，其包括以下步驟：

提供一基底，該基底具有一外延生長面；

處理所述外延生長面，形成一圖案化的表面；

在所述圖案化的外延生長面設置一碳納米管層。

16.如權利要求15所述的外延襯底的制備方法，其特征在于，所述在基底的外延生長面設置一碳納米管層的方法為將碳納米管膜或碳納米管線直接鋪設在所述基底的外延生長面作為碳納米管層。

17.如權利要求15所述的外延襯底的制備方法，其特征在于，所述圖案化表面的處理方法為濕法刻蝕、干法刻蝕、等離子刻蝕或光刻蝕方法中的一種或幾種。

18.一種外延襯底作為生長外延層的應用，包括以下步驟：

提供一如權利要求1至14中任意一項所述的外延襯底，所述外延襯底具有一圖案化的外延生長面及覆蓋該外延生長面的碳納米管層；

在所述外延襯底的外延生長面生長一外延層。

19.如權利要求18所述的外延襯底作為生長外延層的應用，其特征在于，所述碳納米管層中具有多個空隙，所述外延層從所述基底的外延生長面通過該空隙暴露的部分生長。

20.如權利要求18所述的外延襯底作為生長外延層的應用，其特征在于，所述外延層從基底表面生長至所述碳納米管層所在水平面后，透過所述碳納米管層繼續生長。